三星电子宣布计划在今年下半年开发基于四级单元 (QLC) 的 NAND 闪存产品。此举旨在积极满足人工智能 (AI) 领域对高容量存储快速增长的需求。
三星电子产品规划执行总监 Hyun Jae-woong 在 5 月 21 日通过三星新闻室接受采访时解释道：“AI 数据中心的电力成本存在限制，因此每个存储服务器都需要配备大容量内存。”
随着人工智能热潮推动的数据中心需要超大容量固态硬盘 (SSD)，基于 QLC 的 NAND 需求日益增长。与多层单元 (MLC) 和三层单元 (TLC) 相比，QLC NAND 每个单元可以存储更多数据，从而显著提高存储性能。
三星电子正在以人工智能服务器产品为中心实现产品组合多元化。上个月，该公司开始量产业界首款1Tb TLC第9代V-NAND。Hyun执行董事强调，“从中长期来看，我们正在将下一代应用产品扩展到设备端人工智能、汽车产品和边缘设备。”
该公司还在推进其制造技术。闪存开发部副总裁 Hong Seung-wan 表示：“NAND 技术正在朝着满足高容量和高性能要求的方向发展。” 他补充道：“为了支持这一目标，我们正在通过限度地减少对半导体电路至关重要的高深宽比接触 (HARC) 蚀刻工艺的步骤数以及用于制造高性能器件的高金属栅极工艺等技术来持续创新。 ”
三星电子的目标是在 NAND 领域获得明显的优势，而在高带宽内存领域，三星电子的领先优势已经输给了 SK 海力士。Hyun 执行董事预测：“未来，随着我们超越生成式人工智能，转向能够自行学习的机器，将需要更多的存储空间来处理数据，”并总结道，“因此，从中长期来看，长期来看，NAND闪存市场预计将呈现稳定的趋势。”
