英飞凌宣布推出一系列新的电源产品，作为下周在纽伦堡举行的PCIM的前奏，其中的产品是一系列600V超结MOSFET。
英飞凌 G3 G5 GaN 晶体管 据该公司称，其第八代产品“这些设备结合了 600V CoolMOS 7 系列的功能，是 P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7 产品系列的继任者”。“它们配备了一个集成的快速体二极管，并采用 SMD QDPAK、TOLL 和 ThinTOLL 8 x 8 封装。”
凭借 10V 栅极驱动器，该公司声称第 8 代的栅极电荷比其 CFD7 MOSFET 低 18%，比 P7 低 33%。“在400V电压下，该产品系列的输出电容比CFD7和P7低50%，”它补充说。“与CFD7相比，[CFD7和P7]的关断损耗降低了12%，反向恢复费用降低了3%。”
除此之外，据称热性能提高了 14% 到 42%。
凭借这些特性，这些器件可在LLC和ZVS相移全桥等软开关拓扑中提供高效率。它们在PFC、TTF和其他硬开关拓扑结构中也具有出色的性能水平，“英飞凌表示。
英飞凌将在纽伦堡PCIM 2024的英飞凌展台（7号馆/470号展台）展示600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET。
该公司在PCIM方面抢占先机的另一项声明是另一代GaN外延，用于40至700V，由其自己的两家代工厂（马来西亚的居林和奥地利的菲拉赫）在200mm晶圆上制造。
计划于第四季度推出的 650 V G5 系列是用于消费电子、数据中心、工业和太阳能应用的栅极注入晶体管。在第三季度推出的G3器件将提供60、80、100和120V电压，用于电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费类应用。
