英飞凌正在寻求采用 2kV 80A 碳化硅肖特基二极管的 1,500V 直流链路。
英飞凌 2kV 80A TO247-4 SiC 肖特基二极管
IDYH80G200C5 是 80A 2,000V 部件，采用四引脚 TO-247PLUS-4-HCC 封装，爬电距离为 14mm，间隙为 5.4mm。仅使用两根引线——两根靠近爬电槽。阴极连接到分离的引脚以及背面散热垫。
12 月，英飞凌将提供采用两引线 TO-247-2 封装的相同 2kV 肖特基芯片。
今年早些时候的春天，该公司宣布在同一个 TO-247Plus-4 HCC 中采用 2kV MOSFET。
英飞凌表示：“许多工业应用正在向更高的功率水平过渡，这是通过提高直流母线电压来实现的。”这款“市场上首款击穿电压为 2,000V 的分立式碳化硅二极管，使开发人员能够在其应用中实现更高的功率水平，而组件数量仅为 1,200V 解决方案的一半，并实现从多级拓扑到多级拓扑的平滑过渡。电平拓扑。”
正向电压在 25°C 时通常为 1.5V（值 1.75V），在 150°C 时升至 2.3V，而 2kV 反向漏电流在 25°C 时通常为 40μA（值 1.2mA），在 150°C 时升至 290μA。
1V 时的总电容为 9.1nF，600V 时的总电容为 365pF，1.5kV 时的总电容为 245pF。
80A是外壳温度148°C时的连续电流，外壳温度135°C时可增加至101A。在 100°C 的情况下，10ms 半正弦浪涌可以重复达到 240A，在 150°C 的情况下，可以处理单次 399A 10ms 半正弦浪涌。
工作温度超过 -55 至 +175°C，其他限制为 150°C 时 796A 2 s 10ms I 2 t，25°C 时总额定功率为 656W。可承受高达 1.5kV、100V/ns 的瞬变。
