瑞萨开发新 MOSFET 工艺

类别:名企新闻  出处:网络整理  发布于:2025-01-10 10:03:51 | 731 次阅读

  瑞萨电子推出了 100V 高功率 N 沟道 MOSFET,声称能够提供业界领先的高电流开关性能。
  瑞萨电子开发了一种新的 MOSFET 晶圆制造工艺 (REXFET-1),使新器件的导通电阻降低 30%。
  瑞萨开发新 MOSFET 工艺
  REXFET-1 工艺还使新型 MOSFET 的 Qg 特性(向栅极施加电压所需的电荷量)降低了 10%,Qgd(需要注入的电荷量)降低了 40%。在“米勒高原”阶段进入大门)。
  这些器件采用行业标准 TOLL 和 TOLG 封装,与其他制造商的器件引脚兼容,并且比传统 TO-263 封装小 50%。 TOLL 套件还提供用于光学检测的可润湿侧面。
关键词:瑞萨

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