根据外媒报道，SK Hynix预计将在今年上半年与明年的HBM供应进行谈判。该公司已任命外部董事Han Ae-Ra为董事会的第一任女主席。
SK Hynix执行官Gwak No-Jeong在3月27日在Icheon总部举行的第77次常规股东会议上表示，“与客户与客户进行明年HBM供应的谈判预计将在今年上半年完成。”他补充说：“鉴于HBM产品所需的高投资成本和较长的生产期，我们正在通过供应前的谈判提高销售度。”
SK Hynix宣布，今年的HBM供应已经“售罄”。在扩大AI基础设施投资的全球趋势中，SK Hynix的旗舰旗产品第五代HBM 12层产品正在由NVIDIA等美国大型科技公司急切地购买。
SK Hynix的HBM4 12层样本（由SK Hynix提供照片）
SK Hynix正在通过向全世界的主要客户提供HBM4（第六代）12层样品的绩效测试，并计划从今年下半年开始大量生产新产品。因此，明年为客户提供的预留供应可能包括HBM3E 12层和HBM4 12层产品。
HBM是AI的记忆。它通过垂直堆叠多个DRAM并钻出超过1,000个孔来化数据传输速度。 SK Hynix与号AI芯片公司NVIDIA密切合作，在该领域的主要市场份额超过50％。
随着HBM的供应短缺，SK Hynix的销售也处于向上的轨迹。 HBM在DRAM总销售中的比例预计今年将超过50％。去年第四季度，HBM销售比例超过40％。多亏了HBM，SK Hynix的创纪录销售量为66.193万亿韩元，去年的营业利润为23.467万亿韩元。
Gwak表示：“尽管不确定性越来越大，例如对全球经济增长预测的持续下降修订，但确保AI优势的大型技术投资正在扩大，”并预测，“对HBM的爆炸性需求也有望随着图形处理单元（GPU）的兴起（GPU）的兴起和特定于应用的集成电路（ASIC）（ASIC）（ASICS）。他进一步补充说：“与2023年相比，HBM市场预计今年将增长8.8倍以上。”
SK Hynix计划根据HBM需求继续扩大其能力。在计划在今年年底之前完成的Cheongju M15X Fab（工厂），HBM将使用10nm（纳米，一米，一米）级6级DRAM流程生产。这种DRAM对于产生HBM是必需的，例如HBM3E和HBM4。 Gwak解释说：“我们可以灵活地响应对HBM3E和HBM4的需求，因为它们使用了相同的DRAM。”
下一代记忆生产基地的Yongin群集的质量生产目标定于2028年第一季度。
SK Hynix旨在通过将其高盈利性存储产品范围扩展到HBM之外，使其收入多样化。 Gwak表示：“我们正在考虑提供全面的解决方案，而不仅仅是提供AI记忆，”并补充说：“我们正在准备各种解决方案，例如CXL，LPCAMM2和SOCAM，以在AI时代保持竞争力。”
