半导体行业协会 5 月 27 日发布的《2025 年概况》显示，到 2024 年，全球存储半导体收入比上一年飙升 79.3%。尽管 CPU 和 GPU 等逻辑芯片的市场份额仍达 2158 亿美元，高于内存芯片的 1655 亿美元，且两者差距有所扩大，但逻辑芯片的年增长率仅为 20.8%。在内存热潮的推动下，韩国在全球半导体市场的份额从前一年的 13.8% 跃升至去年的 21.1%。而美国仍然是市场，份额从 50.2% 小幅增至 50.4%，日本、中国台湾地区和中国大陆的市场份额均有所下降。
半导体行业主要分为内存芯片（包括动态随机存取存储器 (DRAM)、NAND 和高带宽存储器 (HBM)）和系统半导体（如 CPU 和 GPU）。以三星电子和 SK 海力士为首的韩国，在 HBM 和图形双倍数据速率 (GDDR) 内存等先进内存技术方面具有明显优势。
市场监测机构世界半导体贸易统计组织 (WSTS) 预测，尽管全球经济存在不确定性，包括中美贸易紧张局势以及关税问题，但大型科技公司仍在持续投资人工智能和数据中心建设。受高性能内存需求不断增长的推动，预计内存行业明年将保持强劲增长。2025 年全球半导体收入将增长 11.2%，达到 7009 亿美元，2026 年将达到 7607 亿美元，增幅为 8.5%。预计存储器领域今年将增长 11.7%，明年将增长 16.2%，超过逻辑芯片等其他领域，后者预计 2025 年将增长 7.3%。
然而，韩国半导体行业也面临着诸多挑战。中国存储器芯片制造商正在大举扩张，影响力日益增强。TrendForce 报道称，中国 NAND 制造商今年第一季度以 8.1% 的份额位居全球 NAND 市场第六位，中国 DRAM 制造商以 4.1% 的份额位居 DRAM 市场第四位，虽然目前份额不大，但增长速度较快。此外，美国和日本公司也在加速进军高端存储器市场。日本软银和东京大学与英特尔合作成立了新公司 CyMemory，致力于开发下一代低功耗 AI 内存以替代 HBM，而韩国目前在该领域处于领先地位。美国的美光公司在新加坡建设大型 HBM 封装厂并扩大产能，还聘请了台积电前董事长刘德音，旨在加强与台积电在下一代 HBM 制造领域的合作。
在这样的背景下，韩国企业也在积极寻求技术突破。SK 海力士技术官 (CTO) 车善勇于 6 月 10 日发表演讲，展示了未来 DRAM 技术路线图。他指出，通过现有技术平台实现性能和容量的扩展愈发困难。为了克服这些限制，SK 海力士将把 4F2 VG（垂直栅极）平台和 3D DRAM 技术应用于 10 纳米及以下工艺，并在结构、材料和组件方面进行创新。4F2 VG 平台通过垂直栅极结构限度地缩小了 DRAM 的单元面积，实现了高集成度、高速度和低功耗。车善勇还介绍了 3D DRAM 作为未来 DRAM 的主要支柱，并表示尽管随着堆叠层数增加成本会上升，但可以通过不断的技术创新来解决。SK 海力士将努力通过 DRAM 关键材料和零部件技术的精进，为未来 30 年的发展奠定基础。
