近日，紫光国芯自主研发的 PSRAM（低功耗伪静态随机存储器）芯片系列产品正式发布，并同步上线天猫旗舰店，为存储市场注入了新的活力。
此次上新的 PSRAM 产品在技术规格上表现出色。它兼容业界主流接口协议 Xccela，容量覆盖 32Mb、64Mb 和 128Mb，采用 BGA24L 超薄封装，同时也支持 KGD 产品形式。这种设计为物联网设备、穿戴电子产品和端侧 AI 产品打造了高性能存储解决方案。在性能方面，该产品进一步实现了芯片尺寸的紧凑化，同时将产品速度提升至 1066Mbps，可实现 17.06Gb/s 的大带宽性能，为客户提供了更高性价比的存储方案。此外，它还支持在线动态可配置 X8、X16 模式，能够高度适配不同应用的需求。
为了满足物联网终端设备对长续航的严苛要求，紫光国芯 PSRAM 系列产品支持包括 Half Sleep 的低功耗设计。主力产品支持常规 1.8V 低压供电，即将上市的 256Mb PSRAM 新品可支持 1.8V&1.2V 双压，以及动态变压 0.9V 等超低功耗模式，能为 SoC 客户增强系统性能，带来更久、更强劲的续航表现。
（Pseudo Static Random Access Memory）是一种伪静态随机存储器，它结合了动态随机存储器（DRAM）的技术和静态随机存储器（SRAM）的接口协议。其内核采用 DRAM 架构，使用一个晶体管和一个电容器（1T1C）构成存储单元，而传统的 SRAM 需要六个晶体管（6T）来构成一个存储单元。这种设计使得 PSRAM 在相同体积下可以提供更大的存储容量，并且成本相对较低。
与传统存储器相比，PSRAM 具有诸多优点。它拥有更大的带宽，串行 PSRAM 通过八路串行接口对外互联，在 200MHz Double - Data - Rate 速率下，可实现超 3Gbps 的带宽传输；具备更高的容量，目前可实现的存储容量比市面上其他串行接口随机存储器要大很多；成本更低，采用 DRAM 架构能有效压缩芯片体积，生产成本接近 DRAM 成本；尺寸更小，低引脚数封装与传统的 RAM 存储相比，具有尺寸更小、成本更低等优势；应用更广，采用自行刷新（Self - Refresh），不需要刷新电路即能保存内部存储的数据，而 DRAM 每隔一段时间要刷新充电，否则内部的数据就会消失，因此 PSRAM 的应用场景更为广泛，主要包括便携式产品、物联网设备以及内存扩展等。
值得注意的是，在紫光国芯的 2024 年财报中，有一项政府补助项目与 PSRAM 有关，即陕西省 2021 年重点研发计划 —— 新一代虚拟静态随机存取存储器（PSRAM）芯片项目。不过，该项目的年初余额与年末余额并未发生变化，目前尚不清楚该项目在 2024 年是否有进展。
