英国ICEMOS公司SOI硅片

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Superjunction MOSFET英国进口北京特博万德科技有限公司代理英国ICEMOSTECH的高品质SOI wafer和SuperJunction MOSFET。 SOI wafer尺寸:4”(100mm）,5”（125mm）,6”（150mm）and 8"（200mm） SOI Spec.规格： 1- Bonded SOIwafer (绝缘硅上键合硅片） For4”(100mm）,5”（125mm）,6”（150mm） ---- Handle waferminimum 300um maximum 1000um, ---- Buried Oxide, minimum 0.1 um, maximum 4 um, ----Device layer minimum 2 um, max 500 um. For 8"（200mm） ----Handle thickness minimum 500um and maximum 675um, ----Buried Oxide minimum 0.1 um, maximum 4 um, ----Device layer minimum 5 um, maximum 500 um. 2-Si-Si direct wafer bonding (replacement for epi)硅-硅直接键合，可替代外延片 100mm,125mm,150mmand200mm, thickness as specified above. 3-Engineered SOI, Double SOI (DSOI), Trench Isolation SOI (dielectric isolation), Cavity SOI (for pressure sensor, gyro and accelerometer sensor, microfludic etc.) and finally Through Silicon Via (TSV) ---- Cavity SOI - Bonded SOI or Silicon silicon DWB wafers with cavi

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