MJD112
ON（安森美）
TO-3
无铅环保型
直插式
散装
大功率
高频
型号：MJD112MJD112G MJD112GMJD112G MJD112G 制造商：ON Semiconductor 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor] 描述：Complementary Darlington Power Transistors 产品种类：Transistors Darlington 配置：Single 晶体管极性：NPN 集电极—发射极电压 VCEO：100 V 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V 集电极—基极电压 VCBO：100 V 直流电集电极电流：2 A 集电极截止电流：20 uA 功率耗散：20 W 工作温度：+ 150 C 安装风格：SMD/SMT 封装 / 箱体：TO-252-3 (DPAK) 封装：Tube 集电极连续电流：2 A 直流集电极/Base Gain hfe Min：200, 500, 1000 工作温度：- 65 C 工厂包装数量：75 特点： •无铅包可用 •铅形成在塑料套管表面贴装应用（没有后缀） •直引线型的塑料套管（ “-1”后缀） •铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”和“ RL ”后缀） •电类似于热门TIP31和TIP32系列 Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix) • Electrically Similar to Popul
供应场效应管 FQPF4N60C TO-220F 国产 2.6A/600V N沟道
供应场效应管 FQPF10N60C TO-220F 国产 9.5A/600V N沟道
供应场效应管 IRFZ48NPBF TO-220 IR 64A/55V N沟道
供应场效应管 FQP50N06 TO-220 FSC 50A/60V N沟道
供应场效应管 FQD4N60C SOT-252 国产 4A/600V N沟道
供应场效应管 FQPF6N60C TO-220F 国产 5.5A/600V N沟道
供应场效应管 FQP19N20C TO-220 FSC 19A/200V N沟道
供应场效应管 STP55NF06 TO-220 ST 50A/60V N沟道
供应STP60NF06 TO-220 ST 60A/60V N沟道MOS管
供应FQU4N60C TO-251 FSC原装 3A/200V N沟道MOS管
供应场效应管 STF25NM50N TO-220F ST 22A/500V N沟道
供应场效应管 IRF1404PBF TO-220 IR 202A/40V N沟道
供应场效应管 FS8205A TSSOP-8 国产 6A/20V N沟道
供应场效应管 STP14NK50ZFP TO-220F ST 14A/500V N沟道
供应场效应管 IRF840PBF TO-220 VISHAY原装 8A 500V N沟道
供应场效应管 IRF630NPBF TO-220 IR 9.3A/200V N沟道
供应场效应管 IRFZ44NPBF TO-220 IR 49A/55V N沟道
供应BSP123 SOT-223 Infineon 0.38A/100V N沟道MOS管
供应IRFU220NPBF TO-251 IR原装 5A/200V N沟道MOS管
供应场效应管 2SK1317 TO-3P HIT 7A/1500V N沟道
