BSS138LT1G
ON
50V
225mW
50pF @ 25V
-55°C ~ 150°C(TJ)
类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - 包装 Digi-R FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压(Vdss) 50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 200mA(Ta) 不同Id,Vgs 时的Rds On(值) 3.5 欧姆 @ 200mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) - 不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 50pF @ 25V 功率 - 值 225mW 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
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