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Alien公司推出扩展内存新型H3集成电路

UHF产品和服务供应商Alien公司目前推出新型H3集成电路。H3集成电路有多达512位的用户存储和先进的安全功能,H3集成电路很好地补充了现有的H2产品系列。H3集成电路的目标市场是要求惟一标签识别和扩展存储能力的加工商和终端用户,适用于机场行李

分类:名企新闻 时间:2010/3/15 阅读:2239 关键词:集成电路

台湾DDR2内存现货价节后上涨7%

3月1日早间消息,据台湾媒体报道,内存(DRAM)补货潮号角响起,DDR2现货价打破传统淡季束缚率先表态,农历年后上涨近7%,创近一个多月新高。相关大厂如力晶、茂德、威刚等可望受惠,但科技大厂可能得要担心,信息产品供应链下半年会出现缺货潮。威刚...

分类:业界要闻 时间:2010/3/1 阅读:321 关键词:DDR2

第二大内存芯片制造商海力士更换CEO

据国外媒体报道,韩国半导体制造商海力士债权方今日任命权五哲(O.C.Kwon)为公司新任首席执行官,接替此前的金钟甲(KimJong-Kap),金将出任公司董事长一职。债权方同时宣布将在今年出售公司13%的股份。海力士半导体的主要债权人韩国外汇银行

分类:名企新闻 时间:2010/2/26 阅读:1235 关键词:CEO制造商

三星量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片

三星电子宣布,该公司已经在业内家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gbps,

分类:新品快报 时间:2010/2/25 阅读:234 关键词:40nmDDR3

明DRAM内存芯片市场将增40%

2月24日消息,市场研究公司iSuppli预计,今年全球DRAM内存芯片市场增幅将超过40%,也是3年来的首次增长。据报道称,iSuppli表示,今年全球DRAM内存芯片销售额将增长至319亿美元,2009年、2008年...

分类:行业趋势 时间:2010/2/24 阅读:1525 关键词:DRAM

力晶将重启在徐州地区建造8英寸内存芯片厂的计划

据台湾《经济日报》报道,台系内存厂商力晶公司决定重启其在大陆徐州建造8英寸内存芯片厂的计划,报道称力晶公司计划向这间新厂房投资2.93亿美元,并将与当地政府部门和大陆当地企业合作经营这间芯片厂。与台积电以及茂德公司类似,力晶公司目前已...

分类:名企新闻 时间:2010/2/24 阅读:1089

iSuppli:2010年DRAM内存市场将增长40%

据市场研究公司iSuppli称,经过连续三年的下降之后,DRAM内存市场2010年的销售收入将达到319亿美元,增长40%。iSuppli负责DRAM内存业务的高级分析师MikeHoward在声明中说,2010年将在2009年第四季度增长的基础上继

分类:业界要闻 时间:2010/2/21 阅读:150 关键词:DRAM

传欧盟将起诉三星等内存芯片厂商操纵价格

北京时间2月3日消息,据报道,消息人士透露,欧盟监管机构计划对三星电子、英飞凌、海力士等十家内存芯片厂商提供诉讼,指责这些厂商操控价格,违背欧盟反垄断法规。消息人士称,欧盟委员会的指控有可能在本周或下周做出。三星电子和海力士分别是全...

分类:名企新闻 时间:2010/2/4 阅读:1313 关键词:三星

DRAM走出黑暗 2010年内存厂商或兴旺发达

在DRAM市场的历史上,2009年初可能是最黑暗的时期之一,当时厂商能活下来就不错了。但是,继春季温和复苏之后,DRAM供应商的黑暗日子结束,夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨,营业收入也水涨船高。三星走在前列,营业利润率为19%,营业...

分类:业界要闻 时间:2010/2/3 阅读:177 关键词:DRAM

需求渐复苏 利基型内存IC市况回温

继奇梦达淡出利基型内存IC设计产品后,中芯国际也将退出市场,近来市场上也传出,因标准型内存产品市场陆续回温,韩系内存业者也将进行产能的调整,减少利基型产品的供应数量。随着终端需求日渐复苏,推升利基型内存的需求,再者各大厂也将减少其生...

分类:业界要闻 时间:2010/2/2 阅读:388 关键词:IC

三星发布首颗30nm级工艺DDR3内存芯片

三星电子宣布,颗采用30nm级别工艺的DDR3DRAM内存芯片已经通过客户认证。注意这里说的是30nm级别工艺(30-nmclass),而不是真正的30nm,也就是说有可能是38nm之类的。三星此前投产的3-bitMLCNAND、异步DDR

分类:新品快报 时间:2010/2/2 阅读:318 关键词:DDR3

IDT推出DDR3内存模块高温度传感器

IDT公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.)推出首款针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘和电脑主板市场的高精度温度传感器。新器件有助于企业、移动及嵌入式计算系统以效率运行,通过监测各子系统的温度来节省总电力,

分类:新品快报 时间:2010/1/27 阅读:467 关键词:DDR3IDT高精度温度传感器

内存芯片厂商制程转换计划传因设备交货期拖延而更变

据内存业者透露,由于沉浸式光刻设备的交货日程有所延长,因此南亚,华亚(南亚与镁光的合资厂)两家内存芯片制造商今年转向50nm级别制程节点的计划有可能会后延.而另一家台系内存芯片厂商瑞晶(力晶与尔必达的合资厂)计划于今年二月份开始的光刻设备...

分类:业界要闻 时间:2010/1/26 阅读:1153

三星将加大内存芯片资本支出并建新生产线

据韩国媒体报道,全球内存芯片生产商三星电子今年可能加大对内存芯片的投资,并建立一条新生产线。报道援引不具名业内人士的话称,三星电子今年半导体业务的资本支出约为7兆(万亿)韩元(61亿美元)。三星10月曾表示,今年计划在内存芯片上支出5.5万亿...

分类:名企新闻 时间:2010/1/25 阅读:713 关键词:生产线

DDR3领军,2010内存厂商拨云见月

2009年DRAM市场乌云笼罩,厂商艰难度过黑暗时期,终于守得云开见月明。春季温和复苏,夏季迎来光明。价格在春季的基础上持续上涨,营业收入也水涨船高。三星走在前列,营业利润率为19%,营业收入达22亿美元,市场份额扩大到35.5%的水平。DDR

分类:业界要闻 时间:2010/1/22 阅读:925 关键词:DDR3

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