高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了新一代OptiMOS?源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端...
分类：新品快报 时间：2022/2/17 阅读：1409
东芝推出10款适用于工业设备开关电源的新一代80V N沟道功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了10款适用于工业设备开关电源的新一代80VN沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。共提供三种类型的封装：“TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、TK5R3E08Q...
分类：新品快报 时间：2021/5/6 阅读：1379
东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET，有助于提高大电流设备的效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z，今日开...
分类：新品快报 时间：2021/3/15 阅读：907
英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置
当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）通过专注于强化元器件产品达到系统创新，来应对这一挑战。继2月...
分类：新品快报 时间：2020/11/5 阅读：9520
4月26日，闻泰科技发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金报告书（草案）公告，详细披露高达58亿元的配套融资方案，其中安世中国先进封测平台及工艺升级项目和云硅智谷4G/5G半导体通信模组封...
TOSHIBA东芝推出采用其一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。 U-MOS X-H系列...
–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线– 中国上海，2020年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款...
英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS源极底置25 V功率MOSFET
英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出批基于该封装概念的功率MOSFET，它们...
分类：新品快报 时间：2020/2/19 阅读：1558 关键词：英飞凌
东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其...
Rutronik - 儒卓力提供具有功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET
英飞凌OptiMOS 3和5同类(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装，与先前型号相比，具有更高的功率密度和稳健性，从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台了解有关OptiMOS BiC功率MOSFET产品信息。 由于具有的导通电...
儒卓力提供具有功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET
由于具有的导通电阻(RDS(on))，这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外，通管壳(Junction to Case (RthJC)) 的较低热阻提供了出色的散热性能，从而带来更低的满载运作温度。较低的反向...
Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度
Vishay推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，这颗器件在10V的导通电阻为业内，仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有的栅极电荷，导通电阻还不到0.6mΩ，使栅极电荷与...
分类：新品快报 时间：2017/11/27 阅读：510 关键词：Vishay
意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装汽车级功率MOSFET管
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功...
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式...
TI推出用于电机控制的业界最小栅极驱动器和功率MOSFET解决方案
德州仪器 (TI) 推出两款新型器件，有助于减小电机驱动应用的尺寸和重量。当两者结合使用时，DRV832x无刷直流（BLDC）栅极驱动器和CSD88584/99 NexFET电源模块只需占用511 mm2的电路板空间，仅为其他同类解决方案的一半。 DRV832x BLDC栅极驱动...
