Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-G...
分类：新品快报 时间：2024/3/1 阅读：482 关键词：电子
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装 “东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳...
分类：新品快报 时间：2023/9/4 阅读：440 关键词：MOSFET
Vishay推出新款FRED Pt第五代Hyperfast和Ultrafast恢复整流器，大幅降低导通和开关损耗
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出15款采用SOT-227小型封装的新型FRED Pt第五代600 V 和 1200 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器。Vishay Semiconductors整...
分类：新品快报 时间：2022/10/11 阅读：331 关键词：发光二极管
Vishay推出新款FRED Pt第五代Hyperfast和Ultrafast恢复整流器，大幅降低导通和开关损耗
600V和1200V器件，提高汽车、太阳能和UPS应用效率 日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出15款采用SOT-227小型封装的新型FREDPt?第五代600V和1200VHyperfast和Ul...
分类：新品快报 时间：2022/9/14 阅读：1109
Littelfuse新推经过扩展的碳化硅肖特基二极管产品系列，可降低开关损耗，提高效率和耐用性
Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的企业，今日宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产品，该产品家族最初于2017年5月发布。 第2代1200V碳化硅...
分类：新品快报 时间：2018/1/25 阅读：1136 关键词：肖特基二极管
Diodes - DFN2020封装P通道MOSFET降低负载开关损耗
Diodes公司(DiodesIncorporated)新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDFP通道MOSFET采用了设计小巧的2mmx2mmDFN2020封装，分别提供12V和20V的额定值。新产品适用于追求高效电池管理的平板电脑
Infineon - 英飞凌新一代CoolMOS™可减少50%的开关损耗；专用EiceDRIVER™ IC 可进一步节省空间和设计成本
2015年5月22日，德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出全新的CoolMOS?C7系列超结（SJ）MOSFET家族。该600V系列相比CoolMOS?CP可减少50%的开关损耗，在PFC、TTF和其他硬切
飞兆新推PowerTrench MOSFET产品FDD4141，可将开关损耗减少达一半
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出40VP沟道PowerTrenchMOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON))，与目前的
分类：新品快报 时间：2008/2/27 阅读：414 关键词：MOSFET
飞兆半导体推出40V P沟道PowerTrench® MOSFET 减小开关损耗达50%
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出40VP沟道PowerTrenchMOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON))，与目前的
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新StealthII和HyperfastII二极管技术，作为其专为LCDTV开关电源(SMPS)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的FFP08S60S和FFPF08S60
