韩国厂商表示，它们看好性能优异和高可靠性的SiC衬底，用于生产微波器件。6月23日消息，半导体化合物厂商韩国RFHIC日前表示，GaN-on-SiC器件可以同目前市场上的硅衬底进行竞争，多亏了合作伙伴CREE的碳化硅衬底。“虽然GaN-on-SiC
欧洲独立的纳米电子研究中心IMEC与MOCVD设备供应商AIXTRON公司日前宣布，首次在200mm硅晶圆上成功生长出高质量高均匀性的AlGaN/GaN异质结构。AlGaN/GaN异质结构在AIXTRON应用试验室中的300mmCRIUSMOCVD
分类：业界要闻 时间：2008/6/5 阅读：311
南昌欣磊光电科技有限公司与南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心（以下简称“南昌大学发光中心”）合作，采用硅衬底制造GaN基发光二极管技术研发方面取得重大突破，成功实现产业化，取得阶段性成果。该开发项目获得了2004年度电子发展基金“...
分类：业界要闻 时间：2008/5/12 阅读：1349 关键词：二极管
记者从南昌高新技术开发区获悉，经过近一年的建设，截至２００７年１２月３１日，晶能光电江西有限公司年产３０亿粒的硅衬底蓝、绿光ＬＥＤ芯片的生产能力已基本形成，从而在南昌实现了全球硅衬底发光材料的首批量产。“硅衬底蓝光二极管材料及器件...
分类：新品快报 时间：2008/1/3 阅读：108
