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今年DRAM市场出货量或逾8亿个

消息,据外媒报道,根据IHSiSuppli公司研究报告显示,得益于DRAM整体出货量上升10.8%,今年全球DRAM模组市场仍将持续增长,且连续两年都呈现双位数增长。据报告显示,全球的DRAM模组的整体出货量,预估今年将达到8.128亿个,

分类:行业趋势 时间:2011/6/7 阅读:611 关键词:DRAM

iSuppli:DRAM市场出货上升10.8%且将持续增长

根据IHSiSuppli公司研究报告指出,得益于DRAM整体出货量上升10.8%,今年全球DRAM模组市场仍将持续增长,且连续两年都呈现双位数增长。该项报告指出,全的DRAM模组的整体出货量,预估今年将达到8.128亿个,较去年7.332亿个,

分类:行业趋势 时间:2011/6/3 阅读:717 关键词:DRAM

iSuppli:今年DRAM市场出货量将上升10.8%

6月2日消息,据国外媒体报道,根据IHSiSuppli公司研究报告指出,得益于DRAM整体出货量上升10.8%,今年全球DRAM模组市场仍将持续增长,且连续两年都呈现双位数增长。该项报告指出,全的DRAM模组的整体出货量,预估今年将达到8.12

分类:行业趋势 时间:2011/6/2 阅读:835 关键词:DRAM

iSuppli:今年DRAM市场将持续2年双位数成长

研究报告指出,受惠于动态随机存取内存(DRAM)整体出货量弹升10.8%,今年全球的DRAM模块市场成长仍将持续增长,且连续两年都呈现双位数成长。该项报告指出,全球DRAM模块的整体出货量,预估今年将达到8亿1280万个,较去(2010)年的7

分类:业界动态 时间:2011/5/31 阅读:712 关键词:DRAM

韩国DRAM微细制程比重高 占市场优势

据韩国电子新闻报导,韩国半导体业者在衡量存储器芯片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势,维持在全球DRAM市场的主导权,尤其40纳米等级微细制程扩大,使韩国企业市占率随之扩大,在2011年第1季写下不错成绩,其它DRAM业者因转换制程时机较晚,...

分类:业界动态 时间:2011/5/30 阅读:180 关键词:DRAM

DRAM模组市场2011会重现亮丽

DRAM模组是指含有DRAM芯片的封装,用于PC等电子产品。据IHSiSuppli公司的研究,2011年DRAM模组出货量预计增长11%,重现2010年的亮丽表现。其2011年出货量预计达到8.127亿个,高于去年的7.332亿个。2011年增长率

分类:业界动态 时间:2011/5/26 阅读:1822 关键词:DRAM

季度DRAM销售额下降6%

近日消息,据IHSiSuppli公司的研究,今年季度DRAM厂商的营业收入普遍下降,都受到平均销售价格(ASP)下降和季度表现不佳的打击。季度DRAM产业营业收入下降6%。季度通常被视为DRAM的淡季。该季整体产业营业收入为83亿美元,

分类:业界动态 时间:2011/5/26 阅读:976 关键词:DRAM

DRAM厂Q2转亏为盈机会落空寄望Q3

受DRAM产业第2季转亏为盈机会落空及南科6月即将停止信用交易影响,南科股价写下减资挂牌以来的新低水平,即将面临票面保卫战,同集团的华亚科亦受到影响,股价亦创2年多以来的新低纪录,随著两档DRAM股出现破底走势,南科、华亚科合计市值面临千亿...

分类:行业趋势 时间:2011/5/25 阅读:756 关键词:DRAM

尔必达投资800亿日元应对DRAM的需求增长

日本尔必达存储器正致力于通过小额设备投资实现大幅增产的“高明投资”方式。该公司预计2011财年(2011年4月~2012年3月)的DRAM需求增幅将达到50%/年,但却打算以较上财年减少30%的设备投资额(800亿日元)来应对。从40nm开始采用的

分类:名企新闻 时间:2011/5/20 阅读:882 关键词:DRAM尔必达

DRAM产业是否能够复苏?

日本3·11强震让生死边缘的DRAM产业有机会从泥淖中解脱,其后市价格逐渐加温,3月DRAM合约价已小幅上扬,4月也持续小涨。这是否意味着DRAM产业已经复苏?同样一个问题问上游芯片制造商和下游模组厂,可能会得到两极化的答案,再看看国际大厂财报,...

分类:业界动态 时间:2011/5/19 阅读:1150 关键词:DRAM

惠普下一代内存技术获突破 或将取代闪存和DRAM

5月17日国外媒体报道,惠普研发人员已经在“忆阻器”下一代内存技术方面取得了小的突破,一些人认为它可能会替代当今普遍应用的闪存和DRAM技术。忆阻器是由加州大学一个教授提出来的。在此之前,研究人员只知道3个基本电路原件--电阻器,电容器和电...

分类:新品快报 时间:2011/5/17 阅读:865 关键词:DRAM

惠普下一代内存技术或将取代闪存和DRAM

据国外媒体报道,惠普研发人员已经在“忆阻器”下一代内存技术方面取得了小的突破,一些人认为它可能会替代当今普遍应用的闪存和DRAM技术。惠普研发人员在周一《纳米技术》杂志中提到,他们已经掌握了电气操作过程中“忆阻器”内部发生变化时的基本...

分类:名企新闻 时间:2011/5/17 阅读:1079 关键词:DRAM

DRAMeXchange:内存产业今年风险不大

5月上旬DRAM合约价仍旧维持上涨格局,集邦科技旗下DRAMeXchange评估,由于有两家DRAM厂40奈米良率不佳,影响产能开出。而内存模块厂创见也认为,DRAM厂相继在标准型产品上减产,今年内存产业风险不大。根据DRAMeXchange调查,

分类:业界动态 时间:2011/5/16 阅读:199

南亚科技发行新股 摆脱台湾DRAM产业财务困境

据IHSiSuppli公司的研究,南亚科技最近关于将发行7亿股新股的声明,显示该公司在关键的筹资方面保持成功。在台湾DRAM产业,南亚科技沿着一条充满不确定性的道路前进。最近五年,南亚通过股票和债券以及贷款集资1702亿台币,约合58亿美元,主要用

分类:名企新闻 时间:2011/5/8 阅读:750 关键词:DRAM

究竟何时DRAM才有出头天?

低延迟DRAM(LLDRAM)的存在已将近10年之久了。然而,潜在用户对於采用这些产品仍然感到忧虑,因为他们都曾经历过多家供应商、产品互不相容、许多新兴业者加入竞逐但却也有更多厂商消失,以及供货来源有限等历史。众多新加入的厂商有助於减轻业界对LL...

分类:业界动态 时间:2011/5/4 阅读:196 关键词:DRAM

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