一个由英飞凌（InfineonTechnologies）和印度孟买理工学院（IndianInstituteofTechnology,Bombay）组成的联合研究小组，近日宣称可将高电压功能集成在先进的CMOS技术中。该联合项目成立于2007年，主要
Vishay推出厚度仅为0.6mm的LC EMI/ESD滤波器阵列
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款LCEMI/ESD滤波器阵列，包括四通道的VEMI45LA-HNH和八通道的VEMI85LA-HGK，在超级紧凑的LLP1713和LLP3313无引线封装内提供了小于1db的输
安森美半导体(ONSemiconductor)推出业界首款带集成电流保护和高速静电放电(ESD)保护的过压保护(OVP)器件——NCP362，用于便携、电信、消费和计算系统中的USB2.0应用。这集成器件加强USB端口的安全性，简化便携电子产品的设
分类：名企新闻 时间：2009/4/30 阅读：1146 关键词：ESD
California Micro Devices宣布新添两款ESD保护器件
CaliforniaMicroDevices日前宣布XtremeESD系列新添两款ESD(静电放电)保护器件——CM1235和CM1236。这两款器件都整合了获奖的PicoGuardXS架构，该架构拥有整合的阻抗匹配和更高的ESD性能。这两款产品拥
分类：名企新闻 时间：2009/3/9 阅读：796 关键词：Micro
MaximIntegratedProducts推出适用于所有ISO7816、EMV和GSM11.11应用的低成本、智能卡接口ICDS8024。该完备的工业标准接口用于可靠的智能卡通信，能够在主机微控制器和5V或3V智能卡之间实现电平转换。器件提供±
意法半导体(ST)推出全新ESD保护二极管产品系列，新产品的尺寸比上一代缩小67%，能够承受最严格的IEC61000-4-2标准的ESD测试脉冲，低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的保护性能。ESDALCxx-1U2系列产品采用节省空间
保护元器件的世界领导厂商意法半导体推出全新ESD保护二极管产品系列，新产品的尺寸比上一代缩小67%，能够承受最严格的IEC61000-4-2标准的ESD测试脉冲，低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的保护性能。ESDALCxx-1U2系列
Vishay低电容及漏电流的ESD保护阵列器件非常适合于便携式电子设备中的高速数据线
VishayIntertechnology,Inc.推出两款具有低电容及漏电流的小型ESD保护阵列---2线路的VBUS052CD-FAH和4线路的VBUS054CD-FHI，这些器件可保护高速数据线，以防止瞬态电压信号。具有0.6mm超薄厚度
Vishay推出ESD保护器件VBUS052CD-FAH/054CD-FHI
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出两款具有低电容及漏电流的小型ESD保护阵列—2线路的VBUS052CD-FAH和4线路的VBUS054CD-FHI，这些器件可保护高速数据线，以防止瞬态电压信号。具有0.6mm超薄厚
Vishay推出两款低电容的ESD保护阵列用于便携设备的高速数据线
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出两款具有低电容及漏电流的小型ESD保护阵列---2线路的VBUS052CD-FAH和4线路的VBUS054CD-FHI，这些器件可保护高速数据线，以防止瞬态电压信号。具有0.6mm超
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布推出新型超薄ESD保护阵列---VBUS053AZ-HAF，该器件具有低电容和低漏电流，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号损坏。新器件在工作电压为5.5V时提供三线USBESD保护
静电放电协会（ESDA）和JEDEC就统一的静电放电检测方法标准的制定进行合作
JEDEC固态技术委员会和静电放电协会日前宣布双方已经达成了一项设备静电放电（ESD）敏感性检测领域联合标准和出版物开发的凉解备忘录（MOU）。JEDEC和静电放电协会相信这份凉解备忘录符合双方机构、成员公司和整个产业的利益。在该协议下，静电放
时间：2008/11/19 阅读：585
VishayIntertechnology,Inc.宣布推出新型超薄ESD保护阵列---VBUS053AZ-HAF，该器件具有低电容和低漏电流，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号损坏。新器件在工作电压为5.5V时提供三线USBESD保护，在工
高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)日前在台北举行的第七届静电放电保护技术研讨会上，针对如何防止静电放电(ESD)所带来的损失，从元件、制造和系统三个层级的技术面加以探讨，为业界提供实质建议。要有效降低ESD
分类：名企新闻 时间：2008/11/6 阅读：594
全球的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)昨日在台北举行的第七届静电放电保护技术研讨会上，针对如何防止静电放电(ESD)所带来的损失，从元件、制造和系统三个层级的技术面加以探讨，为业界提供实质建议。要有效
时间：2008/11/5 阅读：656
