IRFB4110GPBF Infineon晶体管 - FET，MOSFET - 单 

晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 210nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 9620pF @ 50V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 370W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 4.5 毫欧 @ 75A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳 TO-220-3
应用
SMPS高效同步整流
不间断电源
高速功率开关
硬开关高频电路
S
效益
改进的门、雪崩和动态的dt / dt
耐用性
充分表征电容和雪崩
SOA
增强体二极管的dt／dt和di／dt能力
无铅
无卤

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