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结型场效应管

(共找到“1284”条查询结果)
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  • 型号/规格:

    ESD0402-0603

  • 品牌/商标:

    YF

  • 封装形式:

    0603

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

静电阻抗器的意思是“静电释放”的意思,它是英文:Electro-Static discharge 的缩写,即"静电放电"的意思.ESD静电阻抗器是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危...

  • 产品类型:

    5

  • 品牌:

    VISHAY

  • 型号:

    SI3443DV

  • 封装:

    SOT23

  • 工作温度范围:

    5

  • 批号:

    11+

  • 是否跨境货源:

  • 应用领域:

    汽车电子,网络通信,安防设备

*(买家必读)*各位买家朋友,由于电子流动性快,消费类产品单价均有上涨或下调,有时候或许单价没有及时更新,请广大客户朋友谅解,详细情况请在拍下前与店主详谈。买家朋友在购买时请先...

  • 型号/规格:

    IRC640

  • 品牌/商标:

    杰盛微

  • 封装形式:

    TO-220-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

IRC640公司介绍:深圳市杰興電子有限公司 专营二.三级管等电子,诚信合作. 欢迎大众惠顾! 强势推出原装大功率三极管打造市场 本公司zui新到货大功率功放音响配对管:2SA1939-2SC5196 2SA...

  • 型号/规格:

    IRF9Z34NPBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    超大功率

IRF9Z34NPBF 品牌IR 封装TO-220 FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide FET特点 Standard 漏极至源极电压(VDSS) 55V 电流-连续漏极(编号)@ 25°C 19A Rds()@ ID,VGS 1...

  • 型号/规格:

    AH3763Q-P-B

  • 品牌/商标:

    DIODES

  • 封装形式:

    SIP-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    1000

深圳萤美电子科技有限公司是一家quan球半导体品牌现货供应商,也可以接受订货!公司zhuan业代理分销XILINX INTEL AVAGO BROADCOM TI NXP ON ST PULSE DIODES等品牌半导体产品,产品涉...

  • 型号/规格:

    AON7401

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    DFN3x3-8L

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 批次:

    最新

  • 产品类型:

    场效应管晶体管

深圳市花芯科技有限公司是一家专注于国内外品牌的电子元器件的特约分销商。主要代理分销ALTERA,ADI,ATMEL , TI, ST,MAXIM, MICREL,NXP,ON等国内外品牌,是国内和国际电子元器件批...

  • 型号/规格:

    IKW75N60T

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO-247AC-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

供应IKW75N60T Infineon(英飞凌) IGBT管/模块 产品属性 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 技术: Si 封装 / 箱体: TO-247-3 安装风格: Through Hole 配置: Sing...

  • 型号/规格:

    AUIRFS4310ZTRL

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。 <span style="text-alig...

  • 型号/规格:

    2N5459

  • 品牌/商标:

    Fairchild

  • 封装形式:

    TO-92

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    袋装

原装,真实有货,交货快,量大价优! 类别:结型场效应管 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):4mA @ 15V 电压 - 击穿 V(BR)GSS:25V 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:2V @ 10nA 在 Vds 时...

  • 型号/规格:

    DMP3099LQ

  • 品牌/商标:

    Diodes

  • 封装形式:

    SOT23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

深圳市福启达科技有限公司是一家zhuan业半导体IC及分立器件的民营高科技企业。公司主营电子元器件-半导体电子管、晶体管、贴片三极管、直插三极管、肖特基二极管、贴片二极管、直插二...

  • 型号/规格:

    MMBT5551-7-F

  • 品牌/商标:

    Diodes

  • 封装形式:

    SOT-23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 集电极—发射极电压 VCEO:

    160 V

制造商: Diodes Incorporated 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: NPN 配置: Single 集电极—发射极...

  • 型号/规格:

    DSEI2X101-06A

  • 品牌/商标:

    IXYS

  • 封装形式:

    标准封装

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    超大功率

DSEI2X101-12A DSEI8-06A DSEI12-06A DSEI30-06A DSEI60-06A DSEI2X31-06C DSEI2X61-06C DSEI2X101-06A DSEI12-10A DSEI30-10A DSEI60-10A DSEI2X61-10B DSEI2X31-10B DSEI30-12A DSE...

  • 型号/规格:

    CSD16322Q5C

  • 品牌/商标:

    TI

  • 封装形式:

    VSON-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

Source Content uid CSD16322Q5C Brand Name Texas Instruments 生命周期 Obsolete Objectid 2103867575 包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 针数 8 Reach Compliance Code not_compl...

  • 型号/规格:

    47N60C2 TO-220

  • 品牌/商标:

    SEIKO(精工)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

SPW47N60C2 参数 标准包装240 类别分离式半导体产品 家庭 FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25&#176; C70 毫欧 @ 30A, 10V 漏极至源极电...

  • 型号/规格:

    NE1101F

  • 品牌/商标:

    PF力林

  • 封装形式:

    NE1101F

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

规格型号 包装 封装方式 NE1101F-DO 3K DIP-8 NE1101F-SO 2.5K SO-8 NE1102E-H2 3K SOT-26 NE1102N-H2 3K SOT-26 NE1105C 2.5K SOP-8 NE1106E-H2 3K SOT23-6 NE1109F-SO 2.5K SO-8 NE...

  • 型号/规格:

    MMSS8050-L-TP

  • 品牌/商标:

    mcc

  • 封装形式:

    con

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 零件状态:

    在售

我司主要经营的品牌包括:分立器件、连接器、模拟/数字芯片、存储芯片、射频芯片、无源元件、传感器、开关和继电器、滤波器、电源HONEYWELL、TT、OMRON、MAXIM、ST、INFINEON、PULSE...

  • 型号/规格:

    AOD4186

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    TO252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

低频跨导:60S 封装:SOT-252 极间电容:1200pF 夹断电压:&#177;20V 开启电压:2.7V 种类:绝缘栅(MOSFET) 耗散功率:50W 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 AOD4186 N沟道增强...

  • 型号/规格:

    si4015

  • 品牌/商标:

    si

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

结型场效应管(JFET) 结型场效应管的分类:结型场效应管有两种结构形式,它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。 结型场效应管也具有三个电极,它们是:栅极;漏极;源极。电...

  • 型号/规格:

    MMBF4391LT1G

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    /

  • 包装方式:

    /

腾顺致远电子只做原装芯片,报价速度快,发货更快。优势渠道:TI/德州仪器、ADI/亚德诺、ALTERA/阿尔特拉、XILINX/赛灵思、RENESAS/瑞萨、ST/意法、NXP/恩智浦、INFINEON/英飞凌、LIN...

  • 型号/规格:

    77E640

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    SOT669

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

77E640 汽车电脑板N沟道MOS场效应管。 深圳创鑫兴电子科技郑重承诺:只做原装! 汽车半导体按种类可分为功能芯片MCU(MicrocontrollerUnit)、功率半导体(IGBT、MOSFET 等)、传感器...

结型场效应管行业资讯

  • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

    结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

  • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

    结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

什么是结型场效应管?

  •   在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区),就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。
  • 结型场效应管

结型场效应管技术资料

  • 结型场效应管的主要参数[2024-06-18]

    1.夹断电压UP  在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。  2.饱和漏极电流/oss  在栅—源极...

  • FET知识:采用结型FET实现的放大电路经典案例[2024-05-06]

    结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例:  结型FET源极接地放大电路  电路结构:  该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

  • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

    为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。  u下面通过栅-源电压uc和...

  • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

    1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...

  • 结型场效应管(JFET)的主要参数[2010-06-10]

    (1). 夹断电压VP  当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。  (2). 饱和漏极电流IDSS  在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。  (3). 直流输入电阻RGS  它是在漏-...

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