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结型场效应管

(共找到“617”条查询结果)
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  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 产品性质:

    *

  • 型号/规格:

    IR2106S

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 沟道类型:

    N沟道

网上标价均属批量*格,*供参考,(量大价优)少量价或样品请另询价,如有不便,敬请见谅!温馨提示:为了保障买卖双方的公平。电子元件是型的产品,技术含量较高,由于本身可能存在着...

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRFP37N50

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

告知:元件是技术含量较高的产品,当您的电器电路出现故障时,请认真检查线路及元件故障,我们售出的产品,如证明确有质量问题的,请您于收到货七天内将产品原样寄回,我将于收到退货...

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    F*B30CH60F

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

郑重声明:**原装*十.*童FSC常用型号长期供应●如需提供17%增值税票,具体事宜请与客服详谈●、 公司专注于品牌:CONEXANT、SAMSUNG、AD、ON、ATMEL、MPS、RICHTEK、TI/BB、FAIRCHILD...

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    FQA28N50F

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

部分优势产品 数字晶体管: DTA/DTC114 系列 例如: DTA114EE / DTC114EE DTA/DTC144系列 例如: DTA144EE / DTC144EE DTA/DTC143系列 例如: DTA143EK / DTC143EK DTA/DTC123系列 例如: ...

  • 品牌/商标:

    Sanyo/三洋

  • 型号/规格:

    2SK303-3-TB-E

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

深圳瑞隆电子国际有限公司经营IC集成电路,主要常销PHILIPS(NXP)、ST、TI、MAXIM、FAIRCHILD、REN*AS、MICROCHIPS、SST、ISSI、DS、ADI、ALTERA等厂家。公司一贯坚持枝*为依托、市场为...

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    FQP12N60C T0-220

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

深圳市泉兴达科技有限公司,是一家国内的电子元器件分销商。公司以执着的精*,准确进行市场定位,经营IC元件包括通讯设备IC,*电器IC,电子仪表,以及工业自动化设备等各种领域,并成...

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    SI2305

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

深圳市隆丰达科技有限公司,创建于2002年,是一家经*相关部门批准注册的一般纳税人企业;经过艰辛的十年奋斗,厚积而薄发,现逐步发展成为*经营来自世界各国各厂的系列集成电路的半导...

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    IRF7832PBF

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

亲,麻烦拍前请先咨询旺旺哦!!!年份:新年份(无铅)价格:以询价为准 货期:大量现货长期供应!(无需货期,马上发货!)(库存庞大,拍下请说明型号)---------------------------...

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

《深圳市亚泰盈科电子有限公司》主营SMD电子元器件:二*管(整流肖特基快恢复*快速开关 稳压 TVS瞬变保险管 三*管 电阻 场效应管光藕IC芯片单片机各种偏冷门*成电路。贴片电容:(封装...

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    9N90

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    -

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

2分钟前[供应]供应灰色较正电容 225/100V*小型较正电容器 225/100V5分钟前[供应]供应VJ1206Y104JXAT VJ1206Y104JXAT8分钟前[供应]供应A6300AE3R-30A◤原装◥*可接受订货15分钟前[供应...

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    KA7500C

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 品牌/商标:

    KA

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

本公司是一家的电子元件分销商和供应商,主营各种IC,如Maxim,ADI,松下,德州,英飞凌,伯尔-布朗,凌特,赛灵思,ALTERA,PTC等,代理BOURNS,Panasonic等品牌可调电阻,电位器,TD...

  • 品牌/商标:

    CET/华瑞

  • 型号/规格:

    CEB4060AL

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 类型:

    其他IC

  • 批号:

    1B54

  • 封装:

    to-263

本公司是一家的电子元器件供应商。销售世界各厂家集成电路,二、三*管,电阻,电容,电感,传感器,电子配套工具等。公司本着“质量如生命,质量是企业发展的根本&a...

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRF630

  • 材料:

    硅(SI)

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

因国产市场存在多种芯片质量,导致质量上的差异,本店*所*品是性价比的产品,量大从优。本店所销售货品均为*货,样品恕不退货。 整包一般可以拆样。拆样单价请另外咨询,谢谢!现货批...

  • 批号:

    12

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 类型:

    其他IC

  • 型号/规格:

    IRF7425TRPBF

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 沟道类型:

    N沟道

标准包装:4,000类别:分离式半导体产品家庭:FET - 单系列:HEXFET®FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点:逻辑电平门漏*至源*电压(Vdss):20V电流 - 连续漏*(Id)...

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 应用范围:

    功率

  • 封装形式:

    TO-220

  • 型号/规格:

    IRF840

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 用途:

    A/宽频带放大

类别 MOSFET家庭 FET - 单系列 -FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能 标准漏源*电压 (Vdss) 500V电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 8A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFB4310ZGPBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

本公司从事元器件拆包散卖,旨在打造中国的电子元器件网络*售平台,为广大的工程师和采购人员提供一个品种*、现货销售、品质*的*采购平台。1、公司有着强大的实业背景,诚信经营! 2...

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    30ETH06

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

【温馨提醒】 1.凡本店出售的任何电子配件商品,在非上锡.剪脚的情况下享有30天质量*,退换货服务;上锡.剪脚 客户操作失误或其它原因造成的烧坏以及其它人为的损失不在退换货范围内2.由...

  • 应用范围:

    放大

  • 品牌/商标:

    Zetex/捷特科

  • 型号/规格:

    FZT951TA

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 晶体管*性:

    PNP

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 沟道类型:

    P沟道

我们坚持以“质量*、信誉、客户至上”为宗旨,以“守信、薄利”为原则;为客户提供*配套服务,让您的采购工作更轻松*。长期供...

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF3711PBF

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装:

    TO-220AB

  • 批号:

    12

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 电压:

    20V

产品参数说明型号:IRF3711PBF 封装:TO-220AB 品牌:IR温馨提示1.由于电子元器件价格随市场波动性较大,商品价格请以当天客服咨询为准。给您带来的不便,敬请谅解。2.封装及包装形式...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FGA25N120

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

温馨提示:购买前请先咨询价格,价格以当天确认为准!拍我司宝贝时请先联系好再拍! 本公司是一家电子元器件供应商,有实体店铺,代理分销:TI、MAXIM、ST、NXP、AT、POWER、MICROCHI...

结型场效应管行业资讯

  • 用万用表测试结型场效应管的放大能力 [2007-01-22]

    结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

  • 如何用万用表测试结型场效应管的放大能力[2007-01-19]

    结型场效应管用得比较多的是N沟道的3DJ型,其管脚排列见图1-1。测试这类效应管放大性能,可按图1-2搭接一个电路,把万用表拨在5V左右的直流电压挡,红、黑表笔分别接漏极D和源极S。当调整电位器RP阻值增加时(图中为滑动触点向上滑),万用表指示电压

什么是结型场效应管?

  •   在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区),就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。
  • 结型场效应管

结型场效应管技术资料

  • FET知识:采用结型FET实现的放大电路经典案例[2024-05-06]

    结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例:  结型FET源极接地放大电路  电路结构:  该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

  • 结型场效应管的工作原理[2024-01-25]

    为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。  u下面通过栅-源电压uc和...

  • 结型场效应管的检测[2023-06-14]

    1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...

  • 结型场效应管(JFET)的主要参数[2010-06-10]

    (1). 夹断电压VP  当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。  (2). 饱和漏极电流IDSS  在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。  (3). 直流输入电阻RGS  它是在漏-...

  • CS系列N沟道结型场效应管[2008-04-23]

    CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。  CS系列结型场效应管主要特性参数

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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