| 品牌/商标 | * | 型号/规格 | 多型号/规格 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | D/变频换流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
| 开启电压 | 来电咨询（V） | 夹断电压 | 来电咨询（V） |
| 低频跨导 | 来电咨询（μS） | *间电容 | 来电咨询（pF） |
| 低频噪声系数 | 来电咨询（dB） | *大漏*电流 | 来电咨询（mA） |
| *大耗散功率 | 来电咨询（mW） |
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于*缘栅型。 MOS场效应管主要特点： 在金属栅*与沟道之间有一层二氧化硅*缘层，因此具有很高的输入电阻（*高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，*号如图所示。通常是将衬底（基板）与源*S接在一起。 MOS场效应管分类： 根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅*，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源*S和漏*D。源*与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图（a）*号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正*，源*接电源负*并使VGS=0时，沟道电流（即漏*电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅*正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏*到源*的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏*电流ID。 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图。 MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源*间电容又*小，*易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在*间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G*与S*呈等电位，*积累静电荷。管子不用时，*引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的*静电感措施。
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