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IGBT

（共找到“25”条查询结果）

MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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全新现货IGBT 7MBR25SA-120-50广州一手货源价格优势！
全新现货IGBT 7MBR25SA-120-50广州一手货源价格优势！
  • 型号/规格：

    7MBR25SA-120-50

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 环保类别：

    无铅环保型

ID-3001TP，三社数码控制IGBT逆变直流TIG焊接机
ID-3001TP，三社数码控制IGBT逆变直流TIG焊接机
  • 型号/规格：

    ID-3001TP

  • 品牌/商标：

    三社数码电焊机

数码控制IGBT逆变直流TIG焊接机（ID-3001TP） (1)电源规格 焊接方法 直流TIG/手工焊 额定输入电压 三相 380/415V 额定频率数 50/60Hz 兼用 输入许可范围 AC342V～A*57V 额定输入 16.0KVA 额定输出电流(TIG/手工焊) 3...

IGBT FGA25N120ANTD
IGBT FGA25N120ANTD
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGA25N120ANTD

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    用于电磁炉,UPS,开关电源,逆变器

  • 夹断电压：

    1200（V）

大量优势IGBT管K25N120，H20R1202，H20R1203
大量优势IGBT管K25N120，H20R1202，H20R1203
  • 品牌：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号：

    K25N120，H20R1202，H20R1203

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    WAFER/裸芯片

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

【FUJI公司】IGBT模块2*200PB-140 电源模块2*200PB-140
【FUJI公司】IGBT模块2*200PB-140 电源模块2*200PB-140
  • 品牌：

    FUJI/富士通

  • 型号：

    2*200PB-140

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    SP/*外形

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

西门子IGBT模块
西门子IGBT模块
  • 型号/规格：

    BSM 200GA 120DN2SE3256

  • 品牌/商标：

    西门子

  • *类别：

    无铅*型

IGBT
IGBT

    品牌/商标 IGBT模块 型号/规格 GD75HFL120C1S 应用范围 电源 整流元件 半桥

    *西门康IGBT模块型号 (1 单元 1200V)
    *西门康IGBT模块型号 (1 单元 1200V)
    • 型号/规格：

      型号 (1 单元 1200V

    • 品牌/商标：

      西门康

    广州祥瑞机电设备有限公司代理销售功率元器件:电源模块,功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块 欢迎垂询 西门康IGBT模块型号 (1 单元 1200V) IGBT 技术指标 SKM 152GA123 150A/1200V/1U SKM 200GA123D 2...

    高鑫ZX7-400，工业型IGBT逆变电焊机
    高鑫ZX7-400，工业型IGBT逆变电焊机

      品牌:高鑫 型号:ZX7-400（工业型） 工作形式:逆变焊 焊接方式:拉弧式 电流:直流 样式:便携式 操作方式:手动 驱动形式:电动 保护气体类型:焊条 作用对象:金属 额定容量:18KVA 负载持续率:60% 工作电压:3-380V 电流调...

      三晶大功率（20－160KW）变频器IGBT驱动板
      三晶大功率（20－160KW）变频器IGBT驱动板

        品牌:三晶 型号:全系列 工作电压:380（V） 输出频率:0－4000（kHz） 产品:ISO2001 产品特点■采用*电机控制*芯片DSP，*矢量控制快速响应■无PG矢量控制、有PG矢量控制、转矩控制、V/F控制可灵活选择■有PG矢量控制低...

        • 付鹏华

        • 供应商等级： 免费会员
        • 企业类型：经销商
        • 地区:广东广州

          • 电话：020-62247329

        场效应IGBT IRFPS37N50K
        场效应IGBT IRFPS37N50K

          品牌:IR 型号:IRFPS37N50K大量现货库存

          法意半导体 IGBT STGW39NC60VD GW39NC60VD 40A 600V
          法意半导体 IGBT STGW39NC60VD GW39NC60VD 40A 600V
          • 品牌/商标：

            ST/意法

          • 型号/规格：

            STGW39NC60VD

          • 种类：

            *缘栅(MOSFET)

          • 沟道类型：

            N沟道

          • 导电方式：

            增强型

          • 用途：

            S/开关

          • 封装外形：

            CER-DIP/陶瓷直插

          • 开启电压：

            600（V）

          • 王欢

          • 供应商等级： 免费会员
          • 企业类型：经销商
          • 地区:广东广州

            • 电话：020-83795647

          IGBT 可控硅 GTR 整流桥 IPM等
          IGBT 可控硅 GTR 整流桥 IPM等
          • 品牌/商标：

            ST/意法

          • 型号/规格：

            BTA16-600B

          • 控制方式：

            双向

          • *数：

            三*

          • 封装材料：

            金属封装

          • 封装外形：

            平板形

          • 关断速度：

            普通

          • 散热功能：

            带散热片

          • 苏坚平

          • 供应商等级： 免费会员
          • 企业类型：经销商
          • 地区:广东广州

            • 电话：020-83318995

          IGBT驱动器QC962和QC841
          IGBT驱动器QC962和QC841

            品牌:MORNSUN 型号:QC962和QC841 应用范围:稳压/恒压类别名称:混合集成IGBT 驱动器A、QC841 是一种混合集成型IGBT 驱动器，内部集成高共模抑制比和高隔离电压的高速光耦，可实现功率半导体器件与控制电路之间的安全...

            场效应IGBT.原装H20T120
            场效应IGBT.原装H20T120

              品牌:INF 型号:H20T120 封装形式:直插型 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 营销方式:现货 用途:广泛迅丰电子供应场效应IGBT 原装 INF H20T120 有需要欢迎来电咨询 谢谢

              *IGBT功率模块BSM100GB120DN2
              *IGBT功率模块BSM100GB120DN2

                种类:IGBT功率模块 品牌:lnfineon(英飞凌）EUPEC 优派克 型号:BSM100GB120DN2*供应*：lnfineon(英飞凌）EUPEC 优派克IGBT功率模块BSM100GB120DN2三单元电压：1200V电流：150A功率：800W

                IGBT驱动器QC962和QC841
                IGBT驱动器QC962和QC841
                • 型号/规格：

                  QC962和QC841

                • 品牌/商标：

                  MORNSUN

                • *类别：

                  无铅*型

                供Eupec IGBT FP25R12KE3 模块
                供Eupec IGBT FP25R12KE3 模块
                • 类型：

                  电源模块

                • 品牌/商标：

                  INFINEON/英飞凌

                • 型号/规格：

                  全新现货FP25R12KE3

                • 封装：

                  原装

                • 批号：

                  10+

                • 产品性质：

                  新品

                • 营销方式：

                  现货

                IGBT行业资讯

                • IGBT发明者，获巨额奖金

                  据报道，2024 年千年技术奖（2024 Millennium Technology Prize）授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加（Bantval Jayant Baliga）教授，以表彰其发明了绝缘栅双极晶体管 (IBGT)。　　自 20 世纪 80 年代开发以来，IGBT 已成为风能、太阳能等高压...

                • Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

                  Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘...

                • Onsemi -安森美推出最新的第7代IGBT模块助力可再生能源应用简化设计并降低成本

                  近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...

                • Sanken - 低饱和电压有助于高效率化　车载点火器用IGBT

                  DGU5020GR是内置齐纳二极管和栅极电阻的500V耐压IGBT。　　无外置箝位电路即可构成点火线圈的驱动电路。　　在维持承受高自箝位感应开关能量（ESCIS）的同时实现低饱和电压特性。　　同时，在全温度范围（?40 °C～175 °C），能维持极为稳定的耐压。　　为系...

                • Power Integrations推出适用于1．2kV至2．3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器

                  深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个LV100（三菱）、XHPTM 2（英飞凌）、HPnC（富士电机）以及耐压高达2300V的同等半导体...

                什么是IGBT?

                • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

                • 目录

                  IGBT

                IGBT技术资料

                • IGBT 脉冲测量方法的优点?正确选择脉冲测量

                  采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件，从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。　　 电流范围非常广，目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A　　 目前可用的脉冲能量从 J 到 15 kJ　　 尽管测量...

                • 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)外形、等效结构与符号

                  IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示，从等效结构图中可以看出，IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。　　图 7-17中的IGBT是由PNP型三极管和N沟道MOS管组合...

                • 用数字万用表检测IGBT

                  区分电极　　在区分 IGBT 各电极时，万用表选择二极管测量挡，红、黑表笔接任意两个引脚，正、反各测一次，当某次测量出现显示值在0.400～0.800范围的数值时，如图7—20（b）所示，表明两个引脚内部有一个二极管导通，该二极管反向并联在IGBT管的C、E极之间，...

                IGBT相关产品

                电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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