FGA25N120ANTD
FAIRCHILD(飞兆)
TO-3P-3
无铅环保型
直插式
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FF450R12KT4
INFINEON(英飞凌)
无铅环保型
450A
1200V
62MM
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SKM 300GB123D(124D) 300A/1200V/2U
西门康
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H系列(标准型)
MITSUBISHI(三菱)
无铅*型
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IKW40T120
英飞凌
英飞凌IGBT模块 手机::侯敏 :传真:地址:武汉经济技术开发区湘隆时代商业中心C1-2-35 为原西门子六大集团之一的电子*件部,现*上市.为前三大半导体厂商之一.infineon的IGBT单管在中国的电磁炉应用占有80%的市场份...
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SKM 145GB123D(124D)
西门康
武汉鑫恒瑞机电设备有限公司代理销售功率元器件:电源模块,功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块 : 郭少青 : 西门康IGBT模块型号 (1 单元 1200V) IGBT 技术指标 SKM 152GA123 150A/1200V/1U SKM 200GA...
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2*400N-060
FUJI
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BSM 200GA 120DN2SE3256
西门子
普通型
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富士
武汉鑫恒瑞机电设备有限公司:郭 联系: 本中心库存*供应富士、东芝、三菱、日立、西门康、西门子、欧派克等全系列工控产品,现有大量库存,且价格低廉、服务周到。一样的品质不一样的价格!欢迎来电垂询: 详细介绍...
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FF1000R17IE4
英飞凌
武汉科琪电子有限公司为广大高压变频器、SVG行业客户提供*的原厂技术支持和完善的解决方案,以及产品配套工作。技术支持: 现代理以下产品: Ø 富士IGBT模块 2*300U4H-120 2*400U4H-120 2*100U4H-170...
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平底形
FF300R12KS4
高频(快速)
二*
INFINEON/英飞凌
单向
塑料封装
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品牌:金火炬 型号:JHJ762IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造*MOSFET具有RDS(on)数值高的特...
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2*75N-060
单向
三*
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螺旋形
普通
带散热片
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品牌:成都华远 型号:*-630 控制方式:数控 动力形式:等离子 焊接原理:冷焊 作用原理:逆变 驱动形式:手工 作用对象:金属 频段:高频 保护气体类型:二氧化碳 用途:焊接 电流:直流 额定输入容量:36.2KVA 产品别名:IGBT逆...
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品牌:Semikron 型号:SKM 100 GB 123 D 种类:配件组件技术规格产品宽度 34产品长度 94产品高度 30.5供应商封装 Case D-61安装 螺钉引脚数目 3工作温度 150°C连续集电*电流 100A门发射*电压 &plu*...
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日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench I...
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块...
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关参数十分出色,例如,...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
下面以FGA25N120型IGBT为例,介绍用指针式万用表检测IGBT的方法。FGA25N120内带阻尼管的IGBT,它有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C亦称漏极)及发射极E(也称源极),其外形如图7—34所示。 根据C、E极含阻尼二极管的正、反向电阻值...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件,结合了MOSFET和双极型晶体管的优点,可以在高电压和高电流条件下工作,因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFET相比,IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用,例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS),以及消费类应用,例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...