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IGBT

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    品牌:西门康 型号:CM200DY-24H西门康IGBT模块武汉宏创变频技术有限公司<http://www.yy3392.com>★现货供应 代理:黎:/网址:http://www.yy3392.com黎 三菱IGBT,mitsubishiIGBT,mitsubishi,...

      品牌:西门康 型号:6*7 221-1BH22武汉宏创变频技术有限公司:黎晓红 :/网址:http://www.yy3392.com6*7 221-1BH22-0XA86*7 221-1BF22-0XA86*7 221-1EF22-0XA06*7 222-1BF22-0XA86*7 222-1EF22-0XA06*7 222-1HF22-0XA...

      • 型号/规格:

        BSM100GB600DLC

      • 品牌/商标:

        IGBT

      IGBT模块以下产品备有大量现货BSM50GB600DLCBSM75GB600DLCBSM100GB600DLCBSM35GB120DN2BSM50GB120DN2BSM75GB120DN2BSM100GB120DN2BSM150GB120DN2BSM200GB120DN2BSM300GB120DLCBSM200GA120DN2BSM300GA120DN2BSM400GA1...

      • 品牌/商标:

        SanRed三瑞达

      • 型号/规格:

        MUR* DKR*

      • 封装形式:

        功率型

      • 功率特性:

        大功率

      • 频率特性:

        *频

        品牌:NEC.东芝 型号:VLA517-01R 批号:10 封装:*原装IGBT驱动器及光藕武汉晶达电子有限公司是功率半导体产品及配套器件代理商,有着十多年从业经验,熟悉各行业的器件选型及具体应用;同时依托高校强大的研发实力及原...

          品牌:IR 型号:IR2118S 批号:-- 封装:DIP 营销方式:现货 产品性质:* 制作工艺:半导体集成 集成程度:小规模 工作温度:0~70(℃)IR2118S:MOSFET、IGBT驱动器 封装:直插(DIP) *原装,大型厂家生产,价格便宜,质量...

          • 型号/规格:

            IR2118S

          • 品牌/商标:

            IR

          • *类别:

            无铅*型

          • 品牌/商标:

            INFINEON/英飞凌

          • 型号/规格:

            FZ600R12KE3

          • 控制方式:

            单向

          • 极数:

            二极

          • 封装材料:

            陶瓷封装

          • 封装外形:

            平板形

          • 关断速度:

            高频(快速)

          • 散热功能:

            不带散热片

          • 型号/规格:

            BSM50GB600DLC

          • 品牌/商标:

            三肯

          • *类别:

            无铅*型

          • 武汉威能设备公司

          • 供应商等级: 免费会员
          • 企业类型:经销商
          • 地区:湖北武汉
          • 电话:027-51772074

            手机:13277956648

            价格:面议 品牌:三菱 产地:日本 型号:QM75DY-H 数量:50 QM75DY-H 75A/600V 欢迎来电咨询!!!

            • 武汉世佳科讯

            • 供应商等级: 免费会员
            • 企业类型:生产企业
            • 地区:湖北武汉
            • 电话:027-83314566

              手机:13377872557

            IGBT行业资讯

            什么是IGBT?

            • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
            • IGBT

            IGBT技术资料

            • 用指针式万用表判别IGBT管的电极

              下面以FGA25N120型IGBT为例,介绍用指针式万用表检测IGBT的方法。FGA25N120内带阻尼管的IGBT,它有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C亦称漏极)及发射极E(也称源极),其外形如图7—34所示。  根据C、E极含阻尼二极管的正、反向电阻值...

            • 什么是IGBT?IGBT的原理

              IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件,结合了MOSFET和双极型晶体管的优点,可以在高电压和高电流条件下工作,因而被广泛应用于电力电子领域。  与MOSFET相比,IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...

            • IGBT 应用笔记

              利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用,例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS),以及消费类应用,例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...

            电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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