产品
发布采购信息 修改/删除采购【看报价】
您现在的位置：首页 > 元器件(最新) >

IGBT

（共找到“31”条查询结果）

MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

您是不是要找： 场效应IGBT IGBT驱动电路 IGBT驱动 IGBT 单管igbt 三菱igbt模块

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
东莞
广东
浙江
新疆
河北
内蒙古
山西
吉林
黑龙江
江苏
辽宁
安徽
福建
江西
山东
河南
湖北
湖南
广西
海南
贵州
云南
西藏
四川
青海
陕西
甘肃
宁夏
台湾
澳门
香港
源头工厂
1/2 跳至 下一页
IGBT导热陶瓷片
IGBT导热陶瓷片
  • 加工定制：

    是

  • 品牌：

    Ande,其他

  • 型号：

    IGBT导热陶瓷垫片

  • 材质：

    陶瓷,其他

  • 阻燃性：

    94V0

  • 耐温：

    25

  • 颜色：

    白色

  • 产品：

    无

IGBT吸收电容器
IGBT吸收电容器
  • 型号/规格：

    STH

  • 品牌/商标：

    PULOM

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 产品主要用途：

    工业电力电气设备

  • 引出线类型：

    径向引线型

  • 特征：

    圆柱体型

台诺UPS 采用*IGBT模块 可以并机 直招河南代理
台诺UPS 采用*IGBT模块 可以并机 直招河南代理
  • 型号/规格：

    TM3300系列

  • 品牌/商标：

    台诺

TH9300/TM3300系列UPS系统 TH9300系列UPS为三进单出型（三相输入，单相输出）智能工频 在线式交流不间断电源系统，共有8KVA、10KVA、15KVA、20KVA、 30KVA规格。 TM3300系列UPS为三进三出型（三相输入，三相输出）智...

  • 东莞台诺电子有限公司

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东东莞

    • 电话：0769-33359378

    手机：13580900215

长期H20R1203电磁炉IGBT功率管
长期H20R1203电磁炉IGBT功率管
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    H20R1203

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    VA/场输出级

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

供 BSM200GA120DN2 英飞凌IGBT
供 BSM200GA120DN2 英飞凌IGBT
  • 类型：

    电源模块

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    BSM200GA120DN2

  • 电源电流：

    200A

  • 电源电压：

    1200V

  • 功率：

    20-30KW

  • 针脚数：

    2

  • 用途：

    加热设备

电镀高频电源300A富士IGBT模块
电镀高频电源300A富士IGBT模块
  • 类型：

    电源模块

  • 品牌/商标：

    原装*富士

  • 型号/规格：

    300A

  • 封装：

    纸盒

三菱IGBT智能模块PM75DSA120
三菱IGBT智能模块PM75DSA120
  • 类型：

    电源模块

  • 品牌/商标：

    三菱IPM智能模块

  • 型号/规格：

    PM75DSA120

  • 封装：

    模块

  • 批号：

    原装拆机

代理三菱IGBT， Mitsubishi可控硅模块
代理三菱IGBT， Mitsubishi可控硅模块
  • 封装外形：

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 型号/规格：

    CM200DY-12A

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

  • 用途：

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标：

    Mitsubishi/三菱

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    增强型

代理英飞凌IGBT模块 Infineon可控硅模块 英飞凌IGBT
代理英飞凌IGBT模块 Infineon可控硅模块 英飞凌IGBT
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    FF100R12KS4

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    CC/恒流

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

拆机IGBT SGH40N60UFD G40N60
拆机IGBT SGH40N60UFD G40N60
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    SGH40N60UFD

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    DC/直流

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

FAIRCHILD*童场效应管/IGBT
FAIRCHILD*童场效应管/IGBT
  • 漏*电流：

    1

  • 材料：

    M*金属半导体

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 型号/规格：

    FGA15N120

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 沟道类型：

    N沟道

电磁炉* IGBT系列产品 G25NA 1200V *原装
电磁炉* IGBT系列产品 G25NA 1200V *原装
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    G25N120

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

英飞凌IHW30N90R单管IGBT
英飞凌IHW30N90R单管IGBT
  • 型号/规格：

    IHW30N90R

  • 品牌/商标：

    英飞凌

东莞市中铭电子贸易有限公司成立于2007年，台湾连铭科技股份有限公司，香港陆美科技股份有限公司在国内可提供电子元器件解决方案的公司，是代理、分销世界电子元器件及技术开发于一体的科技公司。产品广泛应用于家用...

IRG4PC50U IRIGBT50A,600V
IRG4PC50U IRIGBT50A,600V
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRG4PC50U

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

原装日本三菱IGBT模块-CM10MD1L-12H。
原装日本三菱IGBT模块-CM10MD1L-12H。
  • 类型：

    电源模块

  • 品牌/商标：

    Mitsubishi/三菱

  • 型号/规格：

    CM10MD1L-12H

  • 封装：

    集成

  • 批号：

    N46SA8

  • 工作温度：

    -40~125

  • 制作工艺：

    半导体集成

IGBT模块
IGBT模块
  • 型号/规格：

    SD05M50D/SD05M50S

  • 品牌/商标：

    SL

  • 封装形式：

    DIP-23/SOP23

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    DIP-23/SOP23

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    *功率

代理FUJI富士IGBT模块
代理FUJI富士IGBT模块
  • 品牌：

    富士FUJI

  • 型号：

    FZ600R12KE3

品牌/商标 富士FUJI 型号/规格 FZ600R12KE3 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 0（&mu...

IGBT1000W新型逆变机
IGBT1000W新型逆变机
  • 型号/规格：

    CAIFU-998

  • 品牌/商标：

    世佳

*先感谢您购买世佳电子的逆变电源，该产品是将一个12V的直流电压转换为(30-100)Hz的交流电，给所需供电的电器设备供电，它采用了*的自动脉宽调节微处理器，*12V直流供电电源在规定的电压范围内变化时，输出的交流电...

电动叉车二*管.模块.IGBT.整流模块
电动叉车二*管.模块.IGBT.整流模块

    品牌:*及国产 型号:各种 类别:模块 封装形式:个 封装材料:树脂封装 发光颜色:无 应用范围:整流我公司供应电动叉车二*管及叉车配件.

    代理富士通IGBT模块
    代理富士通IGBT模块
    • 封装外形：

      LLCC/无引线陶瓷片载

    • 型号/规格：

      2*400U4H-170

    • 材料：

      IGBT*缘栅比*

    • 用途：

      MOS-TPBM/三相桥

    • 品牌/商标：

      FUJI/富士通

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 导电方式：

      增强型

    IGBT行业资讯

    • IGBT发明者，获巨额奖金

      据报道，2024 年千年技术奖（2024 Millennium Technology Prize）授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加（Bantval Jayant Baliga）教授，以表彰其发明了绝缘栅双极晶体管 (IBGT)。　　自 20 世纪 80 年代开发以来，IGBT 已成为风能、太阳能等高压...

    • Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

      Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘...

    • Onsemi -安森美推出最新的第7代IGBT模块助力可再生能源应用简化设计并降低成本

      近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...

    • Sanken - 低饱和电压有助于高效率化　车载点火器用IGBT

      DGU5020GR是内置齐纳二极管和栅极电阻的500V耐压IGBT。　　无外置箝位电路即可构成点火线圈的驱动电路。　　在维持承受高自箝位感应开关能量（ESCIS）的同时实现低饱和电压特性。　　同时，在全温度范围（?40 °C～175 °C），能维持极为稳定的耐压。　　为系...

    • Power Integrations推出适用于1．2kV至2．3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器

      深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个LV100（三菱）、XHPTM 2（英飞凌）、HPnC（富士电机）以及耐压高达2300V的同等半导体...

    什么是IGBT?

    • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

    • 目录

      IGBT

    IGBT技术资料

    • IGBT 脉冲测量方法的优点?正确选择脉冲测量

      采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件，从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。　　 电流范围非常广，目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A　　 目前可用的脉冲能量从 J 到 15 kJ　　 尽管测量...

    • 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)外形、等效结构与符号

      IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示，从等效结构图中可以看出，IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。　　图 7-17中的IGBT是由PNP型三极管和N沟道MOS管组合...

    • 用数字万用表检测IGBT

      区分电极　　在区分 IGBT 各电极时，万用表选择二极管测量挡，红、黑表笔接任意两个引脚，正、反各测一次，当某次测量出现显示值在0.400～0.800范围的数值时，如图7—20（b）所示，表明两个引脚内部有一个二极管导通，该二极管反向并联在IGBT管的C、E极之间，...

    IGBT相关产品

    电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

    在采购IGBT进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

    免责声明：以上所展示的IGBT信息由会员自行提供，IGBT内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

    友情提醒：为规避购买IGBT产品风险，建议您在购买IGBT相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务"，买卖都安全。

    ©2024 维库电子市场网　经营许可证编号：浙B2-20050339 版权声明
    买家服务热线：0571-85317607 | 买家服务部QQ： QQ:1609526468
    卖家服务热线：0571-85317607 | 卖家服务部QQ： QQ:331652727