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IGBT

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源头工厂
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  • 加工定制:

  • 品牌:

    Ande,其他

  • 型号:

    IGBT导热陶瓷垫片

  • 材质:

    陶瓷,其他

  • 阻燃性:

    94V0

  • 耐温:

    25

  • 颜色:

    白色

  • 产品:

  • 型号/规格:

    STH

  • 品牌/商标:

    PULOM

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 产品主要用途:

    工业电力电气设备

  • 引出线类型:

    径向引线型

  • 特征:

    圆柱体型

  • 型号/规格:

    TM3300系列

  • 品牌/商标:

    台诺

TH9300/TM3300系列UPS系统 TH9300系列UPS为三进单出型(三相输入,单相输出)智能工频 在线式交流不间断电源系统,共有8KVA、10KVA、15KVA、20KVA、 30KVA规格。 TM3300系列UPS为三进三出型(三相输入,三相输出)智...

  • 东莞台诺电子有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:广东东莞
  • 电话:0769-33359378

    手机:13580900215

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    H20R1203

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VA/场输出级

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 类型:

    电源模块

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    BSM200GA120DN2

  • 电源电流:

    200A

  • 电源电压:

    1200V

  • 功率:

    20-30KW

  • 针脚数:

    2

  • 用途:

    加热设备

  • 类型:

    电源模块

  • 品牌/商标:

    原装*富士

  • 型号/规格:

    300A

  • 封装:

    纸盒

  • 类型:

    电源模块

  • 品牌/商标:

    三菱IPM智能模块

  • 型号/规格:

    PM75DSA120

  • 封装:

    模块

  • 批号:

    原装拆机

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 型号/规格:

    CM200DY-12A

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标:

    Mitsubishi/三菱

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    FF100R12KS4

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    SGH40N60UFD

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 漏*电流:

    1

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 型号/规格:

    FGA15N120

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    G25N120

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 型号/规格:

    IHW30N90R

  • 品牌/商标:

    英飞凌

东莞市中铭电子贸易有限公司成立于2007年,台湾连铭科技股份有限公司,香港陆美科技股份有限公司在国内可提供电子元器件解决方案的公司,是代理、分销世界电子元器件及技术开发于一体的科技公司。产品广泛应用于家用...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRG4PC50U

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 类型:

    电源模块

  • 品牌/商标:

    Mitsubishi/三菱

  • 型号/规格:

    CM10MD1L-12H

  • 封装:

    集成

  • 批号:

    N46SA8

  • 工作温度:

    -40~125

  • 制作工艺:

    半导体集成

  • 型号/规格:

    SD05M50D/SD05M50S

  • 品牌/商标:

    SL

  • 封装形式:

    DIP-23/SOP23

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    DIP-23/SOP23

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    *功率

  • 品牌:

    富士FUJI

  • 型号:

    FZ600R12KE3

品牌/商标 富士FUJI 型号/规格 FZ600R12KE3 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 0(&mu...

  • 型号/规格:

    CAIFU-998

  • 品牌/商标:

    世佳

*先感谢您购买世佳电子的逆变电源,该产品是将一个12V的直流电压转换为(30-100)Hz的交流电,给所需供电的电器设备供电,它采用了*的自动脉宽调节微处理器,*12V直流供电电源在规定的电压范围内变化时,输出的交流电...

    品牌:*及国产 型号:各种 类别:模块 封装形式:个 封装材料:树脂封装 发光颜色:无 应用范围:整流我公司供应电动叉车二*管及叉车配件.

    • 封装外形:

      LLCC/无引线陶瓷片载

    • 型号/规格:

      2*400U4H-170

    • 材料:

      IGBT*缘栅比*

    • 用途:

      MOS-TPBM/三相桥

    • 品牌/商标:

      FUJI/富士通

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 导电方式:

      增强型

    IGBT行业资讯

    • IGBT发明者,获巨额奖金

      据报道,2024 年千年技术奖(2024 Millennium Technology Prize)授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加(Bantval Jayant Baliga)教授,以表彰其发明了绝缘栅双极晶体管 (IBGT)。  自 20 世纪 80 年代开发以来,IGBT 已成为风能、太阳能等高压...

    • Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

      Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘...

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    • IGBT

    IGBT技术资料

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      采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件,从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。   电流范围非常广,目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A   目前可用的脉冲能量从 J 到 15 kJ   尽管测量...

    • 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)外形、等效结构与符号

      IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示,从等效结构图中可以看出,IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。  图 7-17中的IGBT是由PNP型三极管和N沟道MOS管组合...

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    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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