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IGBT

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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IGBT模块FS100R12KT3
IGBT模块FS100R12KT3
  • 型号/规格：

    FS100R12KT3

  • 品牌/商标：

    infineon

英飞凌600/IGBT模块天津公司45,/两单元/ /BSM50GB60DLC/BSM75GB60DLC /BSM100GB60DLC /BSM150GB60DLC/BSM200GB60DLC /BSM300GB60DLC /FF200R06KE3 /FF300R06KE3 / FF400R06KE3 / 英飞凌模块1200V系列/IGBT/模块：BSM...

MACMIC全新IGBT模块MMGTU100S120B6C型号齐全 欢迎选购
MACMIC全新IGBT模块MMGTU100S120B6C型号齐全 欢迎选购
  • 型号/规格：

    MMGTU100S120B6C

  • 品牌/商标：

    MACMIC宏徽

  • 环保类别：

    普通型

  • 封装材料：

    树脂封装

  • 封装外形：

    其他

  • 关断速度：

    普通

  • 散热功能：

    其它

  • 频率特性：

    1

1MBI400N-120富士可控硅 IGBT模块
1MBI400N-120富士可控硅 IGBT模块
  • 型号/规格：

    1MBI400N-120

  • 品牌/商标：

    FUJI富士

  • 封装：

    标准封装

  • 安装方式：

    螺丝安装

  • 电压V：

    1200

  • 电流A：

    400

SKM1000GB17R8QX 西门康IGBT模块
SKM1000GB17R8QX 西门康IGBT模块
  • 型号/规格：

    SKM1000GB17R8

  • 品牌/商标：

    SEMIKRON（西门康）

  • 电流：

    1000A

  • 电压：

    1700V

  • 产地：

    斯洛伐克

  • 品牌：

    SEMIKRON/西门康

IGBT模块FZ2400R12KE3 FZ3600R12KE3
IGBT模块FZ2400R12KE3 FZ3600R12KE3
  • 型号/规格：

    FZ2400R12KE3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 批号：

    21+

  • 数量：

    850

  • 封装：

    MODULE

  • 型号：

    FZ2400R12KE3

日本富士IGBT模块6MBI300U4-170
日本富士IGBT模块6MBI300U4-170
  • 型号/规格：

    6MBI300U4-170

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 封装：

    国际封装

  • 批号：

    new

  • 名称：

    IGBT

BSM100GB60DLC德国INFINEON英飞凌IGBT模块全新现货
BSM100GB60DLC德国INFINEON英飞凌IGBT模块全新现货
  • 型号/规格：

    BSM100GB60DLC

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 电流：

    100A

  • 电压：

    600V

  • 用途：

    电工电气

瑞士进口原装IGBT 2SC0108T2AO-17 质保
瑞士进口原装IGBT 2SC0108T2AO-17 质保
  • 型号/规格：

    2SC0108T2AO-17

  • 品牌/商标：

    ABB

  • 电压：

    1200

  • 电流：

    60

  • 温度：

    60

  • 大小：

    20

富士IGBT模块 1MBI400U-120全新原装
富士IGBT模块 1MBI400U-120全新原装
  • 型号/规格：

    1MBI400U-120

  • 品牌/商标：

    富士

  • 电流：

    -

  • 电压：

    -

  • 额定电流：

    -

  • 额定电压：

    -

  • 产地：

    日本

IGBT缓冲电容器
IGBT缓冲电容器
  • 品牌：

    XK

XK推出新款*镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---XK Roederstein MMKP81，该器件可直接安装在*缘栅双*型晶体管（IGBT）模块上，容量从0.047µF到10µF，可在+105℃高温下工作，有700VDC～2500VDC...

  • 昆山昱电电子有限公司

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:江苏苏州

    • 电话：0512-57052008

    手机：13913287141

德国FZ400R12KS4功率电源IGBT模块SUNYUANSZ全新原装进口
德国FZ400R12KS4功率电源IGBT模块SUNYUANSZ全新原装进口
  • 型号/规格：

    FZ400R12KS4

  • 品牌/商标：

    SUNYUANSZ

  • 产地：

    德国

  • 电流：

    400A

  • 电压：

    1200V

轨道检修专用IGBT静态测试仪
轨道检修专用IGBT静态测试仪
  • 型号/规格：

    EN-3020C

  • 品牌/商标：

    易恩电气

  • 测试对象：

    IGBT静态参数

  • 功率：

    380W

IGBT-400A600V单管-3P，全新产品大功率场效应管
IGBT-400A600V单管-3P，全新产品大功率场效应管
  • 型号/规格：

    40N60

  • 品牌/商标：

    kevin

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • Ic：

    40A

  • Bvce：

    600V

IGBT吸收电容
IGBT吸收电容
  • 品牌：

    BM

1引言 众所周知，在电力电子功率器件的应用电路中，无一例外地都要设置缓冲电路，即吸收电路。因为全控制器件在电路工作时莫名其妙损坏的原因虽然很多，但缓冲电路和缓冲电容选择不当是不可忽略的重要原因所在。 2缓...

*童原装IGBT单管 FGA25N120ANTD
*童原装IGBT单管 FGA25N120ANTD
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGA25N120ANTD

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

MIG系列全数字化IGBT（模块）逆变双脉冲弧焊电源MIG-630P
MIG系列全数字化IGBT（模块）逆变双脉冲弧焊电源MIG-630P
  • 品牌/商标：

    东新焊接

  • 型号/规格：

    MIG-630P

  • 工作形式：

    /

  • 焊接方式：

    拉弧式

  • 电流：

    直流

  • 样式：

    便携式

  • 驱动形式：

    电动

  • 保护气体类型：

    其他

西门康SKDT60/08 IGBT
西门康SKDT60/08 IGBT
  • 品牌/商标：

    Semikron/西门康

  • 型号/规格：

    SKDT60/08

  • 控制方式：

    双向

  • *数：

    三*

  • 封装材料：

    塑料封装

  • 封装外形：

    平板形

  • 关断速度：

    高频(快速)

  • 散热功能：

    不带散热片

IGBT1200V 15A
IGBT1200V 15A
  • 应用范围：

    开关

  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    PhGW1215DK

  • 封装形式：

    TO-247

  • 击穿电压VCBO：

    1200

  • 集电*允许电流ICM：

    15

  • 封装材料：

    树脂封装

IGBT行业资讯

什么是IGBT?

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

  • 目录

    IGBT

IGBT技术资料

  • 什么是IGBT？IGBT的原理

    IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。　　与MOSFET相比，IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...

  • IGBT 应用笔记

    利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用，例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS)，以及消费类应用，例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...

  • MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用

    MOSFET 和 IGBT 技术　　由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电和放电所需的时间。　　IGBT 继承了 MOSFET 和 BJT 的优点。它作为 MOSFET 运行，在其...

IGBT相关产品

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