NXP宣布退出Crolles 2联盟, 称45纳米计划不受影响
恩智浦半导体(NXPSemiconductors，前身为飞利浦半导体)日前宣布在2007年合约期满之后，将不会延长其目前在Crolles2联盟的合作。NXP决定采取其它方式进行未来的工艺技术开发。但是，NXP表示在2007年仍会与Crolles2联
周五据2位消息人士透露，英特尔公司计划在中国建造新的大厂制造先进芯片，这也是该公司至今在中国的一笔投资。这2位要求匿名的消息人士称，工厂将生产65纳米多核处理器，这也是英特尔首次在亚洲建造这种工厂。目前为止英特尔在中国的投资...
分类：名企新闻 时间：2007/1/15 阅读：301 关键词：英特尔
Elpida推出首款1GB容量70纳米DDR2 SDRAM芯片
日本存储芯片制造商Elpida储存公司日前宣布，公司已经开始大规模生产基于70纳米制造工艺的1GB和512MB储存容量的DDR2SDRAM芯片。Elpida储存公司称，它是目前全球采用70纳米工艺制造1GB和512MB的DDR2SDRAM芯片的
ARM的DDR1和DDR2存储器接口IP支持TSMC 90纳米工艺
ARM公司新近发布了其Artisan物理IP系列中的ARMVelocityDDR1和DDR2(1/2)存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARMVelocityDDR1/2存储器接口是个通过TSMCIP质量安全测试的90纳米、可即量产的
ARM发布首款可即量产的基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP
ARM公司日前发布了其Artisan物理IP系列中的ARM?VelocityTMDDR1和DDR2（1/2）存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARMVelocityDDR1/2存储器接口是个通过TSMCIP质量安全测试的90纳米、可即
Chinabyte今日获悉，Nvidia正在计划采用80纳米制程推出新一代英特尔平台的IGP芯片。此外，还将于2007年初试产55纳米制程，并于2008年全面转向55纳米制程。消息称，采用80纳米制程的IGP芯片将由台积电代工，据Nvidia200
分类：新品快报 时间：2006/12/14 阅读：846 关键词：Nvidia
Chinabyte今日获悉，Nvidia正在计划采用80纳米制程推出新一代英特尔平台的IGP芯片。此外，还将于2007年初试产55纳米制程，并于2008年全面转向55纳米制程。消息称，采用80纳米制程的IGP芯片将由台积电代工，据Nvidia200
时间：2006/12/13 阅读：600 关键词：Nvidia
合肥市庐阳区日前与泰国一企业达成协议，该公司将在庐阳产业园投资2600万美元，建立“纳米镍氢电池”生产基地。该基地计划在两到三年内，建成4条世界上的纳米镍氢电池生产线并投产，该项目建成投产后，年产值将达到6亿元，可实现利税1.8...
分类：业界要闻 时间：2006/12/7 阅读：796 关键词：纳米
基于三维晶体管设计和多层介质技术，三星电子开发出一款50纳米1GDDR2DRAM芯片。这种芯片采用了选择性外延生长晶体管(selectiveepitaxialgrowthtransistor,SEGTr)，可产生一种更宽的电子通道，从而加速电子流动
飞利浦日前宣布，开始供应业界个ARM9核心的90纳米微控制器LPC3180。据称，这一全新的32位MCU不仅提供高效能和低功耗，也是提供矢量浮点协处理器和整合的USBOn-The-Go，以及在低至0.9V电压的超低功耗模式下运行能力的ARM
力晶半导体(Powerchip)日前在中部科学工业园区后里基地，举行第四座12寸晶圆厂(12C)的上梁典礼。该公司表示，为掌握半导体景气高潮，力晶12C厂现正全速赶工，预计满载月产能可达7万片12寸晶圆，并于明年8月投片量产。力晶位于中科的首座1...
分类：名企新闻 时间：2006/9/13 阅读：285
振荡频率达52MHz ！IBM在1条碳纳米管上形成环形振荡器（图）
图1：在一条碳纳米管上总计形成了12个FET。左下边的照片对人的头发和电路尺寸进行了比较。日经BP社2006年3月28日报道IBM研发部门IBMResearch日前宣布，首次在一条单层碳纳米管上形成了环形振荡器电路，并且成功使之运行在52MHz工作
据国外媒体报道，全球的内存厂商韩国三星电子8月29日（周二）表示，目前已经开始用八十纳米工艺生产1GbDDR2内存芯片。芯片面积比原先减少了36%。过去，三星电子使用九十纳米工艺生产DDR和DDR2内存芯片。在采用八十纳米工艺之后，不仅可以...
分类：业界要闻 时间：2006/9/1 阅读：855 关键词：DDR2
AMD日前表示，计划在纽约州北部的Saratoga兴建一家300毫米工厂，这是该公司在最近几个月发布的第二个大型工厂计划。这家工厂将耗资35亿美元，预计座落在纽约北部的LutherForest科技园。关于AMD新建300毫米工厂的细节情况不多。AM
分类：业界要闻 时间：2006/6/28 阅读：720 关键词：AMD
一个把CMOS工艺推向32纳米和22纳米制造节点的欧洲协作研究项目PullNano，有望获得2500万欧元(大约3200万美元)的基金支持，以继续实施在2004年启动的NanoCMOS项目。据NanoCMOS网站的消息，PullNano项目受到欧盟
分类：业界要闻 时间：2006/6/9 阅读：744 关键词：CMOS
