东芝、富士通、NEC三家公司宣布，为了更好地跟上业界潮流，正进行联合开发32纳米工艺芯片的谈判。日本财经类日报日本经济新闻报道称，它们计划成立一家合资公司，最早可能在2010年前批量生产应用在平板电视机等电子产品中的芯片。东芝的...
天极ChinaByte7月26日消息(羽人编译)据国外媒体报道，日本的东芝、富士通及NEC电子周三表示，它们目前正在就联合开发先进的32纳米芯片举行会谈，以便更好地与对手展开竞争。日本报纸《日经产业新闻》同一天也报道说，这三家公司的目标是...
SAFCSigma-AldrichGroup旗下SAFC的业务部门SAFCHitech今天公布了其新的化学品5年发展新路线图的详细内容。这份蓝图对硅半导体基片上的有机金属化学气相沉积(MetalorganicChemicalVaporDeposit
时间：2007/7/25 阅读：627
奇梦达针对移动应用的75纳米512Mbit DRAM样品面世
存储产品供应商奇梦达公司日前宣布开始提供全新的75纳米工艺512Mbit低功耗DRAM样品。MobileRAM产品是一种超低功耗的DRAM，与同等密度的标准DRAM相比，功耗低80%，主要用于智能手机和多功能手机、便携式GPS设备、数码相机和MP3
分类：新品快报 时间：2007/7/20 阅读：761
奇梦达5纳米512Mbit低功耗DRAM问世，瞄准便携设备应用
存储产品供应商奇梦达公司日前宣布开始提供全新的75纳米工艺512Mbit低功耗DRAM样品。MobileRAM产品是一种超低功耗的DRAM，与同等密度的标准DRAM相比，功耗低80%，主要用于智能手机和多功能手机、便携式GPS设备、数码相机和MP3
时间：2007/7/19 阅读：675 关键词：DRAM
瑞萨开发出可实现32纳米及以上工艺片上SOI SRAM的前瞻技术
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)今天宣布，开发出一种可在32nm及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC中的片上SRAM。新开发的技术采用SOI(绝缘硅)技术，可独立控制基体电位，也就是构成SRAM
飞思卡尔130纳米智能电源技术大放异彩，电池寿命将可延长20倍！
飞思卡尔半导体公司推出其130纳米版本的智能电源技术SmartMOS10，综合了电源、模拟和数字电子技术，降低电源设备漏电，与先前一代的技术相比，使电池寿命延长20倍。在手机和消费电子产品等移动设备中加入这种技术将使系统设计能够加入更...
分类：名企新闻 时间：2007/6/29 阅读：915
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布，开发出一种可在32nm(纳米)及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC(系统级芯片)中的片上SRAM。新开发的技术采用SOI(绝缘硅)技术，可独立控制基体电
6月25日消息，据台湾媒体报道，在AMD近日更新的台式机处理器规划蓝图中，45纳米技术的导入时间已正式敲定2008年第四季度。根据此前外电消息，AMD早在2003年下半年就公布了有关45纳米的规划，当时预计最早在2007年推出45纳米处理器。AMD
上周末，世界化学药品制造商，BASF公开宣布，已经和美国电脑巨头蓝色巨人IBM建立了合作关系，未来两家公司将携手开发电子材料，主要用于集成电路的制造。据法新社报道，在此次的合同中，BASF和IBM公司将共同推出全新的、高端的、低功耗的...
北京时间6月25日硅谷动力从国外媒体处获悉：IBM公司日前表示，它将与德国化学公司巴斯夫（BASF）集团共同开发新一代芯片，新产品将采用的32纳米制造技术。IBM称，与德国公司共同开发的芯片预定2010年投放市场。与45纳米、60纳米技术相比
分类：业界要闻 时间：2007/6/25 阅读：842 关键词：IBM
大连市市长夏德仁今天在大连召开的第五届软交会上透露，英特尔设在大连的工厂有望于2010年引入65纳米技术。夏德仁表示，大连方面希望英特尔能把65纳米、45纳米甚至更新的技术引入大连工厂。据他掌握的情况，其中65纳米技术在2010年引进大...
分类：业界要闻 时间：2007/6/21 阅读：691 关键词：英特尔
英特尔本周公布了以安腾为代表的服务器用处理器的发展规划。两年前，英特尔公司推出安腾处理器是冒了很大风险的。因为它采用的不是x86架构，而是一种非常少见的称为EPIC（并行指令代码）的架构。不过事实证明，英特尔公司押对了，现在安...
分类：业界要闻 时间：2007/6/21 阅读：755 关键词：英特尔
台积电(TSMC)公司联手Freescale半导体公司，开始了32纳米技术的研发进程，而特许半导体以及IBM公司最近也联合宣称，未来他们将共同致力于32纳米CMOS技术的研发。JacksonHu指出，45纳米以下技术生产的处理器产品限制应用于高性能
分类：业界要闻 时间：2007/6/14 阅读：1758
日前，台联电（UMC）董事会主席JacksonHu向媒体透露，未来台联电将与德州仪器共同开发基于45纳米、32纳米技术的芯片生产工艺。在其间举行的一个投资者研讨会上，JacksonHu指出当前的IDMs厂商将面临着大的跨越发展时期，厂商纷纷宣布采用
分类：业界要闻 时间：2007/6/13 阅读：221
