摩根士丹利执行董事王安亚昨（8）日表示，今年DRAM价格跌幅不大，但业者资本支出增加很多，恐成明年供给风险。他预期，2011年DRAM价格仍看跌，台湾DRAM厂最需要做的，就是跟上制程，才能使产品成本下降。面对龙头三星电子已完成35奈米技...
分类：行业访谈 时间：2010/9/9 阅读：198 关键词：DRAM
据内存业者透露，由于着名光刻设备厂商ASML生产的NXT:1950i沉浸式光刻机目前供货十分紧缺，因此台系内存芯片厂商收到所订购的这种设备的时间可能会再后延12个月之久，由于NXT:1950i沉浸式光刻机对这些厂商转移到38nm以上级别制程至关重要
分类：业界要闻 时间：2010/9/9 阅读：1344 关键词：光刻机
台湾国际半导体展(SEMICONTaiwan2010)于8日正式开幕，在半导体趋势论坛中，摩根士丹利证券执行董事王安亚针对未来DRAM市场发出警语，认为未来2Gb产品将成为DRAM市场主流，且未来以40纳米制程生产的2Gb将竞争力，台系DRAM
分类：名企新闻 时间：2010/9/9 阅读：241 关键词：DRAM
海力士半导体(Hynix)近来决定将制造部门分为前段制程和后段制程部门，并进行组织及人事重整作业。海力士社长权五哲就任后，任命朴星昱担任副社长职务，并首度进行组织改编，以强化后段制程、强化产线应用效益、调动老员工以赋予组织紧张...
分类：名企新闻 时间：2010/9/8 阅读：141 关键词：力士
芯片走向极小化、多任务、高效能且低价的态势已不可改变。在后摩尔定律时代，芯片走向20nm，甚至14nm和10nm制程技术，曝光技术将是驱动半导体业成长的关键，而其他如制程、设备、和材料也将扮演着相当关键角色。台积电(2330)资深处长林本...
分类：行业访谈 时间：2010/9/8 阅读：932
据龙芯处理器的首席架构设计师，中科院计算技术研究所（ICT）的胡伟武教授透露，2011年龙芯将推出数款基于65nm制程的产品，同时下一代龙芯处理器则将采用28nm制程进行制作。胡伟武同时透露他们将推出一系列龙芯新产品，其型号包括一款服...
分类：新品快报 时间：2010/8/30 阅读：907 关键词：28nm
三星今天公布了型号为470的SSD产品系列，它们分为64/128/256GB三个版本售价分别为199、399和699美元。这种SSD采用30nmMLC闪存打造，内置双控制器，支持TRIM，采用3Gbps的SATA接口连接，写入和读取速度分别为250
分类：新品快报 时间：2010/8/24 阅读：158 关键词：SSD
受DRAM价格急遽滑落、庞大库存跌价损失冲击，台湾存储器模块厂第2季获利持续萎缩；反观DRAM制造厂获利则普遍较第1季好转，逐步转变成上肥下瘦局面。动态随机存取内存(DRAM)及储存型闪存(NANDFlash)产品价格去年同步弹升，内存模块厂营运...
分类：业界要闻 时间：2010/8/16 阅读：181 关键词：DRAM
8月11日消息，继上月宣布调高全年资本支出预算后，台积电周二表示，董事会通过19.7亿美元扩充12寸厂先进制程产能，以及3.7亿美元于新12寸晶圆厂兴建。台积电称召开董事会通过2.6亿美元增加特殊制程产能，与3.2亿美元发展太阳能及LED新事...
分类：名企新闻 时间：2010/8/11 阅读：813
2010年3~4月是DRAM价格的高峰期，当时个人计算机(PC)换机潮涌现，DRAM市场陷入严重的供不应求，供给端都在转换新制程，导致产出锐减。当时1颗DDR3单价涨到3美元高峰，1条模块价格直逼50美元，业内出现抢货的现象。DRAM业者分析，下半
分类：维库行情 时间：2010/8/5 阅读：1036 关键词：DRAM
DigitimesResearch分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(SamsungElectronics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此
分类：业界要闻 时间：2010/7/28 阅读：792 关键词：DRAM
日前X-FAB宣布发表套100V高电压0.35微米晶圆制程。当运用在电池管理方面，可实现更上层楼的可靠性、高效能电池管理与保护系统，也最适合于电源管理应用与运用压电驱动器的超音波影像处理和喷墨打印头应用。此外，X-FAB更增添全新强化的N-...
分类：新品快报 时间：2010/7/24 阅读：1699
晶圆代工抢攻高阶制程市占率，积极扩充产能，台积电、联电、全球晶圆(GlobalFoundries)与三星电子(SamsungElectronics)皆大手笔添购设备，带动半导体设备业再现产业循环高峰，包括应用材料(AppliedMaterials)
分类：行业趋势 时间：2010/7/23 阅读：992
2010年上半年，三星公司（Samsung）曾宣布完成了30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片的开发工作，最近他们则宣布这款芯片产品已经进入批量生产阶段。这款30nm制程DDR3芯片可以在1.35V电压条件下工作在1866MHz数据传输率下，加压到
分类：新品快报 时间：2010/7/22 阅读：293 关键词：DDR3
近期DRAM市场供需杂音多，由于终端需求前景不明，7月合约价不见起色，仍持续往下修正，加上随着40和50纳米制程微缩导致产能增加，进而压抑价格走势，然值得注意的是，目前各家DRAM厂在40和50纳米世代转换不顺消息频传，新产能是否能如期...
分类：名企新闻 时间：2010/7/15 阅读：674 关键词：DRAM
