最近，美国劳伦斯•伯克利国家实验室(LawrenceBerkeleyNaTIonalLaboratory)的一个研究团队—已经成功研制出栅极(晶体管内的电流由栅极控制)仅长1纳米的晶体管，号称是...
分类：业界动态 时间：2016/10/10 阅读：772 关键词：晶体管
据外媒报道，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。晶体管的制程大小一直是计算技术进步的硬指标。晶体管越小，...
分类：新品快报 时间：2016/10/9 阅读：644 关键词：晶体管
意法半导体推出新款超结MOSFET和首款1500V TO-220FP 宽爬电间距封装功率晶体管
横跨多重电子应用领域、全球的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出一系列采用TO-220FullPAK(TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用防电弧封装的全球
分类：名企新闻 时间：2016/9/28 阅读：273 关键词：MOSFET
如今半导体圈最棘手的事莫过于摩尔定律即将终结，研究人员不得不寻找硅材料的替代者来提升半导体的性能，而碳纳米管就被认为是最有可能取代硅的材料之一。近日，美国威斯康...
分类：业界动态 时间：2016/9/8 阅读：251 关键词：晶体管
由中国天津飞腾信息技术有限公司设计的一款64核中央处理器（CPU）及其服务器样机在硅谷举行的一场国际研讨会上首次公开亮相，连续3天的展示吸引了国际同行关注。高性能芯片...
ST推出新款超结MOSFET和1500V TO-220FP 宽爬电间距封装功率晶体管
2016年8月16日，横跨多重电子应用领域、全球的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出一系列采用TO-220FullPAK(TO-220FP)宽...
分类：新品快报 时间：2016/8/17 阅读：1139 关键词：MOSFET
本月早些时候公布的2015年半导体国际技术路线图显示，经过50多年的小型化，晶体管可能将在短短五年间停止缩减。该报告的预测，到2021年之后，继续缩微处理器当中小晶体管的尺寸，对公司来说不再经济。相反，芯片制造商将使用其它手段提升...
分类：行业趋势 时间：2016/7/25 阅读：662 关键词：晶体管
多年来，石墨烯一直被视为最有前途的材料，尤其是能让电子设备变得更小、更高效。现在，科学家们制造了一种新型石墨烯晶体管，使用它打造的处理器未来将能够跑到100GHz的超高频率。这一技术突破来自莫斯科物理技术学院(MIPT)，他们打造的...
恩智浦半导体日前宣布推出MRF1K50H射频晶体管，与采用任何技术或在任何频率下的产品相比，都具有最强大的性能。MRF1K50H可在50V电压下提供1.50kWCW功率，能够减少高功率射频放大器中的晶体管数量，从而减小放大器尺寸并降低物料成本。MR
氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势，被称为第三代半导体材料，用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等，可实现硅器...
英伟达推出新GPU芯片Tesla P100 内置150亿晶体管
北京时间4月6日消息，英伟达昨天宣布推出新的GPU芯片TeslaP100，据英伟达CEO黄仁勋(Jen-HsunHuang)透露，芯片内置了150亿个晶体管，它可以用于深度学习，黄仁勋宣称TeslaP1...
Ampleon - 现在为HF、VHF和ISM应用提供使用高成本效益模压塑料封装的极稳固LDMOS RF功率晶体管
Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料(overmouldedplastic,OMP)RF功率晶体管产品组合，采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。BLP05H6xxxXR系列功率晶体管面向广播和ISM发射器或发电机制造商，瞄准FM/VHF无线电
分类：名企新闻 时间：2016/1/15 阅读：447
碳纳米管将取代硅晶体管北京时间10月2日消息，据《财富》网络版报道，IBM已经开发了一种技术，将有助于半导体产业继续生产更快、效能比更高、集成度更高的芯片。IBM研究人员发明了在碳纳米管上移动电子的技术。碳纳米管直径是人类头发的...
在拯救摩尔定律的道路上，大家似乎都卯足了劲。不久前，IBM宣布研发成功7nm芯片，而现在，又有研发团队宣称制备成功了有史以来最小的晶体管——只有单个分子大小。实现这一惊人成就的是来自一支德国、日本和美国的联合研究团队，他们在砷...
分类：新品快报 时间：2015/7/23 阅读：200 关键词：晶体管
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出S系列1200VIGBT绝缘栅双极晶体管。当开关频率达到8kHz时，新系列双极器件的导通和关断综合损耗创市场新低，大幅度提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、
