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英特尔泄露新品计划08年Q1推出45纳米芯片

2月5日外电消息,如果从英特尔泄露的产品发布计划属实,英特尔要到明年季度才能够真正推出其0.045微米工艺的台式机芯片。英特尔声称将于今年下半年推出0.045微米工艺的芯片。据reghardware网站报道称,英特尔目前计划推出二款0.04

分类:新品快报 时间:2007/2/6 阅读:739 关键词:英特尔

AMD表示并不担心英特尔使用45纳米加工技术

微处理器行业巨头英特尔最近发布了一些新的消息,这些消息可能会给AMD带来麻烦。据news.techwhack.com网站报道,英特尔宣布称它正在使用45纳米加工技术开发芯片。英特尔还与Sun微系统公司达成了一笔交易,为Sun的服务器产品提供处理器。

分类:业界要闻 时间:2007/2/2 阅读:669 关键词:AMD英特尔

AMD英特尔混战45纳米处理器

1月29日,英特尔公司宣布已经成功开发出全球首款45纳米处理器,预计该产品将会在2007年下半年正式上市。英特尔表示,45纳米技术芯片的面世意味着世界处理器产业进入了一个全新的纪元,而这款名为Penryn的处理器产品被公司视为近40年以来...

分类:名企新闻 时间:2007/2/1 阅读:259 关键词:AMD处理器英特尔

飞思卡尔加盟IBM技术开发联盟,优势互补推动45纳米进程

飞思卡尔半导体公司(Freescale)和IBM日前宣布,飞思卡尔将加入由IBM领导的芯片技术开发联盟,参与开发制造45纳米工艺芯片的标准和技术。本协议将飞思卡尔在主要嵌入式市场(包括汽车、联网、无线、工业和消费电子)的技术水平与IBM开发先进

分类:名企新闻 时间:2007/1/30 阅读:287 关键词:IBM

英特尔展示45纳米处理器 下半年上市销售

据国外媒体报道,英特尔公司已开始生产个45纳米工艺处理器,英特尔公司计划在今年下半年开始销售新处理器。在英特尔硅谷总部的演示会上,公司展示了“Penryn”处理器的开发型号。英特尔演示了一个低电压版的双内核笔记本处理器,还有双内...

分类:新品快报 时间:2007/1/30 阅读:860 关键词:处理器英特尔

英特尔发布45纳米芯片 硅处理器平台没死

1月29日消息,芯片巨头英特尔表示,已经成功开发出全球首款45纳米处理器,预计该产品将会在今年后半年正式上市。据vnunet报道,在硅谷的总部新闻发布会上,英特尔首次展示了这款名为Penryn的处理器产品。在此次展会上,英特尔展示了一款...

分类:新品快报 时间:2007/1/29 阅读:728 关键词:处理器英特尔

NXP宣布退出Crolles 2联盟, 称45纳米计划不受影响

恩智浦半导体(NXPSemiconductors,前身为飞利浦半导体)日前宣布在2007年合约期满之后,将不会延长其目前在Crolles2联盟的合作。NXP决定采取其它方式进行未来的工艺技术开发。但是,NXP表示在2007年仍会与Crolles2联

分类:名企新闻 时间:2007/1/19 阅读:924 关键词:CrollesNXP

瑞萨科技开发用于45纳米节点及以上工艺芯片的高性能、低成本晶体管技术

全瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布,开发出一种可用于45nm(纳米)节点及以上工艺微处理器和SoC(系统级芯片)产品的高性能和低成本晶体管技术。新开发的技术包括采用P型晶体管金属栅极,以及N型晶体管传统多晶硅栅极

分类:新品快报 时间:2006/12/20 阅读:254 关键词:高性能晶体管

瑞萨科技开发用于45纳米节点及以上工艺芯片晶体管技术

瑞萨科技开发用于45纳米节点及以上工艺芯片的高性能、低成本晶体管技术--可以经济地生产带有采用金属(P型)和多晶硅(N型)栅极混合结构的CMIS晶体管而不必对现有的制造工艺进行重要改变—瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)今

分类:业界要闻 时间:2006/12/20 阅读:1043 关键词:晶体管

08年英特尔芯片制程将从65纳米转换到45纳米

天极网12月1日消息(他山石编译)据国外媒体报道,英特尔科技和制造团队技术分析师RobWilloner表示,英特尔计划在2007年后半年发布45纳米处理器后,它的微处理器产品可能将在2008年从65纳米转换到45纳米制程。他证实在美国俄勒冈州英特尔

分类:名企新闻 时间:2006/12/1 阅读:910 关键词:英特尔

45纳米工艺再添新军,联电SRAM芯片明年试生产

台湾地区晶圆代工厂联电已突破关键的45纳米工艺障碍,生产出了单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。联电计划明年试生产45纳米芯片。该公司表示,与其65纳米工艺相比,新式45纳米工艺的6晶体管SRAM单元尺寸缩小了50%,性能提高了30%。随...

分类:业界要闻 时间:2006/11/27 阅读:221 关键词:SRAM

联华电子芯片进入45纳米 新芯片明年上市

中国台湾半导体厂商联华电子公司已经首次开始批量生产45纳米制程的静态RAM芯片。联华电子公司是利用浸液光刻技术来提高芯片刻蚀过程中的准确度,从而将静态RAM芯片的生产工艺提高到45纳米水平上。过去,在扫描镜片和硅面之间会留下一层空...

分类:名企新闻 时间:2006/11/24 阅读:716 关键词:芯片

联华电子芯片进入45纳米时代 新芯片明年上市

【eNet硅谷动力消息】美国东部时间11月22日(北京时间11月23日)消息:中国台湾半导体厂商联华电子公司已经首次开始批量生产45纳米制程的静态RAM芯片。联华电子公司是利用浸液光刻技术来提高芯片刻蚀过程中的准确度,从而将静态RAM芯片的...

分类:新品快报 时间:2006/11/23 阅读:199 关键词:芯片

联电大跃进!45纳米制程测试芯片成功

继台积电、新加坡特许半导体(CharteredSemiconductor)宣布45纳米制程技术已具相当成熟度,联电也于20日宣布其南科12寸厂12A以浸润式微影技术成功产出45纳米测试芯片,联电对此先进制程研发的大跃进相当振奋。联电宣布的这项成果,

分类:业界要闻 时间:2006/11/22 阅读:742

IBM、特许和三星通用平台45纳米技术选择ARM,用于提供低功耗、高性能库

扩展合作关系,为客户先进的SoC设计和半导体制造解决方案带来上市时间优势ARM公司日前宣布,通用平台技术业务合作伙伴IBM、特许半导体和三星电子获得ARMArtisan物理IP系列中的Metro低功耗与Advantage高性能产品的授权,用于该技术

分类:新品快报 时间:2006/11/1 阅读:906 关键词:IBM