凌力尔特公司推出高端、高频率N沟道MOSFET栅极驱动器LTC4440A-5,该器件能以高达80V的输入电压工作,在高达100V瞬态时可连续工作。该驱动器可与功率MOSFET以及凌力尔特众多DC/DC控制器选择中相结合,构成完整的电源。LTC444
12日消息,据外媒报道,德州仪器(TI)于近日宣布推出3款双通道输出闸极驱动器UCC27210、UCC27211和UCC27524,可提升高密度隔离电源效率与可靠度,进一步扩大MOSFET驱动器产品阵营。UCC27210与UCC27211是首批
Intersil推出ISL89367双通道MOSFET驱动器
Intersil(英特矽尔)公司今天推出业内首款双6A峰值电流驱动能力的双通道MOSFET驱动器---ISL89367。此款独特器件为设计人员提供了高速驱动多个并联大电流功率MOSFET的集成解决方案,非常适合用于开关电源、电机驱动器和D类放大器等
Maxim不久前推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降压拓扑结构、但不带必需的高边MOSFET驱动器的HB(高亮度)LED设计提供低成本方案。MAX15054在单串和多串LED驱动器中通过使用降压以
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4449,该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的DC/DC控制器和功率FET可
分类:新品快报 时间:2010/1/27 阅读:1360 关键词:MOSFET
VishayIntertechnology,Inc日前宣布,推出两款新型业界操作电压的IGBT和MOSFET驱动器,丰富了其已有的光耦产品线。日前发布的VO3120和VO3150A的输出电流分别为2.5A和0.5A,具有最宽的工作电压和很高的环
AnalogicTech MOSFET驱动器系列新增高压DC-DC转换器AAT4910
研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech)宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V,其半桥双金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器可提供业界同类多相DC-DC转换器中的阻抗。
分类:新品快报 时间:2008/12/23 阅读:1452 关键词:AnalogicTechMOSFET驱动器
电源管理集成电路开发商研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech),宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V,其半桥双金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器可提供业界同类多相DC-
研诺逻辑MOSFET驱动器产品系列新增高压DC-DC转换器AAT4910
研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech)宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V,其半桥双金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器可提供业界同类多相DC-DC转换器中的阻抗。
研诺推出同类中阻抗的半桥MOSFET驱动器用于多相DC-DC转换器
美国加州圣克拉拉,2008年12月17日-电源管理集成电路开发商研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech?,纳斯达克股票市场代码:AATI),今日宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出LTC4444-5的高可靠性(MP)级新版本,该器件是一个高速、高输入电源电压(100V)、同步MOSFET驱动器,以在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFE
凌力尔特推出100V同步N沟道MOSFET驱动器LTC4444MP-5
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出LTC4444-5的高可靠性(MP)级新版本,该器件是一个高速、高输入电源电压(100V)、同步MOSFET驱动器,以在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFE
分类:新品快报 时间:2008/12/9 阅读:1031 关键词:MOSFET
Intersil新系列MOSFET驱动器为英特尔VR11.1系统提供轻负载效率
全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司日前宣布,推出新系列12V至5V同步整流降压式MOSFET驱动器,为英特尔VR11.1系统提供业界的轻负载效率。ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力,以及
MAX15018/MAX15019提供标准和增散强热的8引脚SO封装,工作在-40℃至+125℃汽车级温度范围。芯片起价为$1.62(1000片起,美国离岸价)。MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值电流,传输延迟仅为35ns(典
高压、高速MOSFET驱动器MAX15018/MAX15019,用于驱动高边和低边n沟道MOSFET。器件具有高端(HS)引脚,允许高达125V的输入电压,该指标优于竞争产品的105V电压。MAX15018/MAX15019与工业标准的HIP210