ARM发布45纳米SOI测试芯片结果 显示出较体效应工艺节能40%的可能性
ARM公司近日在于加州福斯特市举行的IEEESOI大会上发布了一款绝缘硅（silicon-on-insulator，SOI）45纳米测试芯片的测试结果。结果表明，相较于采用传统的体效应工艺（bulkprocess）进行芯片制造，该测试芯片显示出
IBM宣布已制成32nmSOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度、速度最快的片上动态存储器。IBM表示，使用SOI技术可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM还表示，基于SOI技术的嵌入式DRAM每个存储单元只有
TI推出满足USB 3.0规范1.0版要求新型5 Gbps收发器测试芯片
日前，SuperSpeedUSB3.0推广组织的积极成员德州仪器(TI)宣布推出一款可充分满足USB3.0规范1.0版要求的新型5Gbps收发器测试芯片。该款全新收发器可在4米长的USB3.0线缆上驱动并接收信号，确保数据完整性。这款接收器将在5月
分类：新品快报 时间：2009/5/19 阅读：331 关键词：USB
英国ARM采用32nm工艺试制出配备Cortex-A9的测试芯片
英国ARM宣布，在于西班牙巴塞罗那举行的“MobileWorldCongress（MWC）”上，展出了采用32nm工艺试制的首款ARM处理器。此次使用的工艺为美国IBM等公司的CommonPlatform技术，采用了高介电率（high-k）绝缘材料
分类：名企新闻 时间：2009/2/23 阅读：869
AMD称与合作伙伴IBM已经制造了一个工作“测试芯片”，该技术在器件中关键层利用了EUV（超紫外线）光刻技术。以前利用EUV的项目生产工作芯片的项目仅仅在“狭窄领域”和涵盖极小部分的设计方案。AMD、IBM以及他们的合作伙伴的UAlbanyNano
台积电(2330)今(11)日于美国华盛顿特区(WashingtonD.C.)举行的国际电子组件大会(InternationalElectronDevicesMeeting，IEDM)中发表论文，宣布开发出集成电路制造服务领域个同时支持模拟
分类：名企新闻 时间：2007/12/12 阅读：197 关键词：芯片
NEC与晶门科技合作 为MIPI-DSI规格手机测试芯片互通性
手机装置半导体解决方案供货商NEC电子公司与显示晶片技术厂商暨行动产业处理器接口(MIPI)联盟的赞助成员晶门科技有限公司近日宣布两家公司正式签订协议，合作为基于行动产业处理器接口(MIPI)显示器串行接口(DSI)规格的手机测试液晶显示(L...
分类：业界要闻 时间：2007/8/6 阅读：1467 关键词：NEC
飞思卡尔和意法半导体在汽车IP技术开发、闪存技术统一和新产品定义方面中取得巨大进步。自去年宣布合作设计活动以来，意法半导体和飞思卡尔的汽车部门将产品开发力量集中在各种汽车应用领域，包括传动系统、底盘、马达控制和采用PowerArc...
分类：业界要闻 时间：2007/6/27 阅读：786 关键词：微控制器
ST和Freescale合作推出首款90nm汽车电子测试芯片
汽车工业的两大半导体供应商飞思卡尔和意法半导体日前宣布，自去年宣布合作设计活动以来，双方的汽车部门将产品开发力量集中在各种汽车应用领域，包括传动系统、底盘、马达控制和采用PowerArchitecture技术的车身系统。他们还主动加快产...
时间：2007/6/27 阅读：954
ST和飞思卡尔加快汽车合作设计活动 共同推出90nm测试芯片
中国，2007年6月21日—汽车工业的两大半导体供应商飞思卡尔和意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）在汽车IP技术开发、闪存技术统一和新产品定义方面中取得巨大进步。自去年宣布合作设计活动以来，意法半导体和飞思卡尔的汽车部门将产品...
分类：名企新闻 时间：2007/6/26 阅读：229
飞思卡尔和意法半导体在汽车IP技术开发、闪存技术统一和新产品定义方面中取得巨大进步。自去年宣布合作设计活动以来，意法半导体和飞思卡尔的汽车部门将产品开发力量集中在各种汽车应用领域，包括传动系统、底盘、马达控制和采用PowerArc...
时间：2007/6/26 阅读：482
汽车工业的两大半导体供应商飞思卡尔和意法半导体在汽车IP技术开发、闪存技术统一和新产品定义方面中取得巨大进步。自去年宣布合作设计活动以来，意法半导体和飞思卡尔的汽车部门将产品开发力量集中在各种汽车应用领域，包括传动系统、底...
时间：2007/6/26 阅读：721
英飞凌公司在全球范围内率先推出一种全新方法，该方法可消除高度集成半导体电路制造过程中引起产品缺陷的一个最常见原因：过孔电气故障。“过孔（VIA）”表示“垂直互连”，指集成电路金属层之间的连接。英飞凌与雷根斯堡应用科学大学（F...
分类：业界要闻 时间：2007/3/2 阅读：581
继台积电、新加坡特许半导体（CharteredSemiconductor）宣布45纳米制程技术已具相当成熟度，联电也于20日宣布其南科12寸厂12A以浸润式微影技术成功产出45纳米测试芯片，联电对此先进制程研发的大跃进相当振奋。联电宣布的这项成果，
分类：业界要闻 时间：2006/11/22 阅读：740
英飞凌公司在全球范围内率先推出一种全新方法，该方法可消除高度集成半导体电路制造过程中引起产品缺陷的一个最常见原因：过孔电气故障。“过孔（VIA）”表示“垂直互连”，指集成电路金属层之间的连接。英飞凌与雷根斯堡应用科学大学（F...
分类：业界要闻 时间：2006/11/17 阅读：179
