测试芯片

测试芯片资讯

全球首颗,UCie测试芯片

根据外媒了解,Synopsys 和英特尔开发了首款采用通用 Chiplet Interconnect Express (UCIe) 协议的测试芯片,用于连接不同工艺制造的 Chiplet。  该测试芯片演示了 Synop...

分类:业界动态 时间:2023/12/19 阅读:338 关键词:UCie测试芯片

台积电扩大开放创新平台云端联盟,5nm测试芯片 4 小时完成验证

晶圆代工龙头台积电近日宣布,扩大开放创新平台(Open Innovation Platform,OIP)云端联盟,其中明导国际(Mentor)加入包括创始成员亚马逊云端服务(AWS)、益华国际计算...

分类:业界动态 时间:2019/4/30 阅读:513 关键词:5nm测试芯片 台积电

Achronix为研究人员和测试芯片开发人员推出全新“eFPGA Accelerator”

基于现场可编程门阵列(FPGA)的硬件加速器器件和高性能嵌入式FPGA半导体知识产权(eFPGA IP)领导性企业Achronix半导体公司日前宣布:公司推出两个全新的项目,以支持研究机构、联盟和公司能够全面对接AchronixSpeedcore eFPGA技术。 ...

分类:名企新闻 时间:2019/1/8 阅读:427 关键词:芯片

Achronix完成其基于16nm FinFET+工艺的Speedcore eFPGA技术量产级测试芯片的验证

基于现场可编程门阵列(FPGA)的硬件加速器器件和嵌入式FPGA(eFPGA)硅知识产权领域领导性企业Achronix半导体公司(Achronix Semiconductor Corporation)日前宣布:已完成了其采用台积电(TSMC)16nm FinFET+工艺技术的SpeedcoreTM eFP...

分类:新品快报 时间:2018/4/21 阅读:354

业界首款 3nm 测试芯片成功流片

2018年3月1日,纳米电子与数字技术研发创新中心 IMEC 与楷登电子(美国 Cadence 公司)联合宣布,得益于双方的长期深入合作,业界首款 3nm 测试芯片成功流片。该项目采用极紫...

分类:新品快报 时间:2018/3/2 阅读:295 关键词:半导体测试芯片

Xilinx、Arm、Cadence和台积共同宣布首款7纳米工艺的CCIX测试芯片

赛灵思、Arm、Cadence和台积公司今日宣布一项合作,将共同构建首款基于台积7纳米FinFET工艺的支持芯片间缓存一致性(CCIX)的加速器测试芯片,并计划在2018年交付。这一测试芯片旨在从硅芯片层面证明CCIX能够支持多核高性能Arm CPU和FPGA...

分类:业界动态 时间:2017/10/14 阅读:307

英特尔发布量子计算测试芯片 挑战IBM

英特尔周二发布了包含17个量子位的超导测试,从而匹敌IBM此前推出的规模的量子计算芯片。英特尔将把这款芯片提供给荷兰的研究合作伙伴QuTech。英特尔发布量子计算测试芯片 ...

分类:名企新闻 时间:2017/10/11 阅读:356 关键词:IBM芯片英特尔

台积电 7 纳米将于 2018 年联合客户推出首款加速器专属测试芯片

晶圆代工龙头台积电 7 纳米制程再迈进一步, 11 日宣布,与旗下客户包括 Xilinx (赛灵思)、ARM 、Cadence Design Systems (益华电脑) 等公司联手打造全球首款加速器专属快...

分类:名企新闻 时间:2017/9/12 阅读:447 关键词: 7 纳米测试芯片晶圆代工台积电

Xilinx、Arm、Cadence和台积公司共同宣布首款采用7纳米工艺的CCIX测试芯片

2017年9月11日,中国上海—赛灵思、Arm、Cadence和台积公司今日宣布一项合作,将共同构建首款基于台积7纳米FinFET工艺的支持芯片间缓存一致性(CCIX)的加速器测试芯片,并计...

分类:新品快报 时间:2017/9/12 阅读:365 关键词:CCIX测试芯片

ARM携手台积电打造多核10纳米FinFET测试芯片

ARM今日发布了首款采用台积电公司(TSMC)10纳米FinFET工艺技术的多核64位ARM?v8-A处理器测试芯片。仿真基准检验结果显示,相较于目前常用于多款智能手机计算芯片的16纳米FinFET+工艺技术,此测试芯片展现更佳运算能力与功耗表

分类:新品快报 时间:2016/5/23 阅读:476 关键词:ARMFinFET

ARM基于台积电10nm多核测试芯片问世

ARM宣布首款采用台积公司10奈米FinFET制程技术的多核心64位元ARMv8-A处理器测试晶片问世。模拟基准测试结果显示,相较于目前多用于多款高阶手机运算晶片的16奈米FinFET+制程技术,此测试晶片展现更佳运算能力与功耗表现。新款测试晶

分类:新品快报 时间:2016/5/20 阅读:455 关键词:10nmARM

GlobalFoundries试产20nm测试芯片

日前消息,据外媒报道,GlobalFoundries试产了20nm测试芯片,该芯片采用Cadence,Magma,MentorGraphics和Synopsys的设计工具。此次试制的测试芯片使用了双重图形(DoublePatterning),每家E

分类:名企新闻 时间:2011/8/31 阅读:1089

TD-LTE测试芯片陷争议:单模芯被指无实用

中国移动TD-LTE技术规模试验热火朝天之际,TD-LTE终端芯片的厂商也越来越多,而最早进入测试现场的芯片已被认为在未来没有实际市场价值,不少芯片厂商要求入场参与,理由是多模LTE/3G芯片符合实际市场需求,而现有测试芯片是单模的。十几...

分类:业界要闻 时间:2011/8/24 阅读:1031

台积电采用Quartz DRC进行PQV测试芯片物理验证

芯片设计解决方案供应商微捷码(Magma)设计自动化有限公司日前宣布,台积电(TSMC)采用QuartzDRC进行其28纳米产品质量检验装置(productqualificationvehicle,PQV)测试芯片的物理验证。PQV作为设计数据客户

分类:新品快报 时间:2010/8/9 阅读:2656

利用IBM技术 ARM45nm 测试芯片实现40%的功耗降低

ARM公司(伦敦证交所:ARM;纳斯达克:ARMH)近日在于加州福斯特市举行的IEEESOI大会上发布了一款绝缘硅(silicon-on-insulator,SOI)45纳米测试芯片的测试结果。结果表明,相较于采用传统的体硅工艺(bulkproce

分类:名企新闻 时间:2009/10/14 阅读:287 关键词:ARMIBM