Vishay持续扩充其高性能的表面贴装聚合物钽式电容器T55系列
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，持续扩充其vPolyTan的T55系列表面贴装聚合物钽式电容器家族产品，陆续推出A、B和T(低高度B外形的高度为1.2mm)外形尺寸，有8种新性能规格的
半导体与电子元器件全球授权分销商贸泽电子(MouserElectronics，即日起开始分销VishayIntertechnology。VEML6070为一款先进的CMOS紫外（UV）光传感器，具备I2C协议接口和高动态检测精度。通过在一个芯片
Vishay用于高功率表面贴装射频应用的RCP系列厚膜电阻对外供货
宾夕法尼亚、MALVERN—2015年7月10日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，采用0505、0603和2512外形尺寸，用于高功率表面贴装射频应用的RCP系列厚膜电阻对外供货。Vish
分类：新品快报 时间：2015/7/17 阅读：731 关键词：Vishay
宾夕法尼亚、MALVERN—2015年7月9日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出小型化、耐脉冲10kV的安规VY1Compact新系列。VishayBCcomponentsVY1Com
半导体与电子元器件全球授权分销商贸泽电子（MouserElectronics），即日起开始分销VishayIntertechnology的VEML6070紫外光传感器。VEML6070为一款先进的CMOS紫外（UV）光传...
宾夕法尼亚、MALVERN—不久前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，发布新的通过AEC-Q200认证的PTS系列铂金SMD扁平片式温度传感器---PTSAT。VishayBeyschlagPTS
Vishay宣布推出新系列高压薄膜扁平片式电阻--TNPV e3
宾夕法尼亚、MALVERN—2015年6月16日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新系列高压薄膜扁平片式电阻---TNPVe3，工作电压高达1000V，在业内率先实现了小于1ppm/V
分类：名企新闻 时间：2015/6/19 阅读：337 关键词：Vishay
Vishay宣布发布新系列硅树脂涂层的轴向引线绕线电阻CW High Energy
宾夕法尼亚、MALVERN—2015年6月10日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，发布新系列硅树脂涂层的轴向引线绕线电阻---CW-HighEnergy。VishayDaleCW-High
Vishay的新款绕线电阻可提供超标准的、可靠的高能浪涌保护能力
宾夕法尼亚、MALVERN—2015年6月10日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，发布新系列硅树脂涂层的轴向引线绕线电阻---CW-HighEnergy。VishayDaleCW-High
Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET
不久前VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，发布600VEF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。VishaySiliconixSiHx
Vishay的新系列高双列直插式薄膜电阻网络可提供更好的ESD和潮湿防护
器件通过AEC-Q200认证，其分压比公差低至±0.05%，长期分压比稳定率为0.015%，采用小尺寸8-PinSOIC封装宾夕法尼亚、MALVERN—2015年5月4日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号
Vishay发布超小尺寸大红、红、琥珀和黄色的超亮LED具有业内亮度
器件采用的硅上AllnGaP技术，亮度高，发光强度达到35500mcd宾夕法尼亚、MALVERN—2015年5月25日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、无色SMD封装
Vishay的新款超薄、大电流功率电感器可降低系统成本，并节约空间
小尺寸器件采用小型0806和1008外形尺寸，高度低至1.0mm宾夕法尼亚、MALVERN—2015年5月27日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新系列超薄、大电流的功率电感器---I
Vishay - 超薄IGBT/MOSFET驱动器在小尺寸逆变器中有效节省空间
器件的高度为2.5mm，具有高隔离电压，可用于电机驱动、可替代能源和其他高压应用宾夕法尼亚、MALVERN—2015年5月28日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新的SMD封装的超薄2
宾夕法尼亚、MALVERN—2015年5月18日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境，推出新的薄膜条MOS电容器。VishayDaleRes
