工艺技术

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Silterra携全线半导体工艺技术拓展中国市场

看重中国大陆在移动和无线产品系统市场方面的巨大潜力以及本土IC设计公司的发展前景,马来西亚晶圆代工厂SilterraMalaysiaSdnBhd积极布局中国本地市场。在IIC-China2011展会上,Silterra公司全面展示了其半导体制造工艺

分类:新品快报 时间:2011/3/8 阅读:257 关键词:半导体

中国全线打通AMOLED制造工艺技术

日前,记者从有关方面获悉,昆山工研院新型平板显示技术中心(简称昆山平板显示中心)和维信诺公司在中国本土率先全线打通了LTPS-TFT背板和OLED显示屏制造工艺技术,并于2010年12月24日,开发成功2.8英寸彩色AMOLED显示屏,实现了RGB

分类:业界要闻 时间:2010/12/29 阅读:1485 关键词:AMOLED

华虹NEC BCD180工艺技术进入量产

的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)宣布其研发成功、处于业界地位的0.18微米BCD(BipolarCMOSDMOS)--BCD180工艺技术进入量产。该新型BCD180工艺平台是华虹NEC针对数

分类:业界要闻 时间:2010/12/29 阅读:225 关键词:NEC

Altera发布28-nm工艺技术策略

Altera公司(NASDAQ:ALTR)今天发布面向28-nm系列产品的28-nm工艺技术策略。在曾经发布过的TSMC28-nm高性能(28HP)工艺技术对高端FPGA系列支持的基础上,Altera进一步采用了TSMC的28-nm低功耗(28LP

分类:新品快报 时间:2010/12/8 阅读:923

Avago在40纳米CMOS工艺技术上取得重大突破

作为通信、工业和消费类应用提供模拟接口组件的供应商AvagoTechnologies(Nasdaq:AVGO),今天宣布已在40纳米CMOS工艺技术上取得28Gbps的串化器/并化器(SerDes)性能表现。这一里程碑标志着集成SerDes知识

分类:业界要闻 时间:2010/11/8 阅读:225 关键词:AvagoCMOS

Avago在40纳米CMOS工艺技术上取得突破

AvagoTechnologies宣布已在40纳米CMOS工艺技术上取得28Gbps的串化器/并化器(SerDes)性能表现。这一里程碑标志着集成SerDes知识产权(IP)的专用集成电路(ASIC)可实现更高的带宽应用,从而提高数据在服务器、路由

分类:业界要闻 时间:2010/11/5 阅读:269 关键词:AvagoCMOS

下代龙芯将跳过45nm直接采用28nm工艺技术,可能吗?

据龙芯处理器的首席架构设计师,中科院计算技术研究所(ICT)的胡伟武教授透露,2011年龙芯将推出数款基于65nm制程的产品,同时下一代龙芯处理器则将采用28nm制程进行制作。胡伟武同时透露他们将推出一系列龙芯新产品,其型号包括一款服务...

分类:业界要闻 时间:2010/9/20 阅读:1176 关键词:28nm

MOCVD设备成为中国LED工艺技术发展瓶颈

从日前举行的第十二届全国LED产业研讨与学术会议得知,中国LED工艺技术取得了快速进步,但同时,硬体设备正在成为发展瓶颈,特别是MOCVD(有机金属化学气相沉积)等核心设备正在制约产业的发展。目前国际上GaN基LED产业主流的衬底是蓝宝...

分类:业界要闻 时间:2010/9/19 阅读:1049 关键词:lead

VirageLogic与中芯合作40纳米低漏电工艺技术

日前VirageLogic和中芯国际宣布其长期合作伙伴关系扩展到40纳米的低漏电(low-leakage)工艺技术。VirageLogic公司和中芯国际从最初的130纳米工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的IP,涵盖的工艺广泛还包含90纳米

分类:名企新闻 时间:2010/7/23 阅读:804

多晶硅短缺有效缓解 工艺技术仍需改进

多晶硅是集成电路、电子器件和太阳能电池的主要原材料。全球多晶硅产业化生产的主流工艺是三氯氢硅氢还原法(或称:改良西门子工艺),用该工艺生产的多晶硅占世界总产量的85%,是多晶硅生产的主流工艺。近年来,中国多晶硅产业化取得长足...

分类:行业访谈 时间:2010/7/15 阅读:890 关键词:多晶硅

安森美半导体推出IPD2工艺技术,结合HighQ性能和小尺寸用于便携电子应用

应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术--IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ硅铜(copperonsilicon

分类:业界要闻 时间:2010/5/28 阅读:1717

恩智浦将推出50种采用SiGe:C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品

恩智浦半导体(NXPSemiconductors)近日宣布推出一系列采用SiGe(硅锗)工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品,旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe

分类:名企新闻 时间:2010/5/24 阅读:496 关键词:恩智浦微波产品

中芯国际携手Synopsys拓展65纳米低漏电工艺技术

Synopsys5月19日宣布开始提供用于中芯国际65纳米低漏电工艺技术的新思科技经硅验证的和获得USB标志认证的DesignWare®USB2.0nanoPHY知识产权(IP)。在65nm技术日渐成为先进IC产品市场主导的今天,中芯的这一

分类:名企新闻 时间:2010/5/20 阅读:686 关键词:Synopsys

高通与TSMC在28纳米工艺技术上携手合作

业界的先进无线通讯技术产品及服务创新领导公司-美商高通公司(QualcommIncorporated)与其集成电路制造服务伙伴-TSMC(TaiwanSemiconductorManufacturingCompany)1/7日共同宣布,双方

分类:名企新闻 时间:2010/1/12 阅读:858 关键词:TSMC

IGBT技术及人才缺失 工艺技术缺乏

新型电力半导体器件的代表,IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才,我国都处于全方位的落后状态。应当认识到,电力半导体器件和集成电路在国民经济发展中地位同样重要,因此,政府应该对IGBT产业予以大力扶持。众所周知,...

分类:名企新闻 时间:2009/12/17 阅读:910 关键词:IGBT