ROHM的600V耐压超级结MOSFET 新增“R60xxVNx系列”的7款机型
～非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗～ 世界知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结MOSFET“PrestoMOS”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”...
分类：新品快报 时间：2022/4/8 阅读：1997
东芝电子元件及存储装置株式会社（ToshibaElectronicDevices&StorageCorporation，简称“东芝”）推出了150VN沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）“TPH9R0...
分类：新品快报 时间：2022/4/7 阅读：1467
英飞凌推出D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET
在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下，电力消耗日益增加。与此同时，提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下世界发展大势并满足相关市场需求，英飞凌科技...
分类：新品快报 时间：2022/4/6 阅读：1511
东芝推出采用很新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150VN沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用很新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其...
分类：新品快报 时间：2022/4/1 阅读：2776
Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围
基础半导体元器件领域的高产能生产行家Nexperia（安世半导体）今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工...
分类：新品快报 时间：2022/3/25 阅读：2237
Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 mW
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具...
分类：新品快报 时间：2022/2/24 阅读：387 关键词：Vishay
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出很新第四代600VE系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。VishaySiliconixn沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代6...
分类：新品快报 时间：2022/2/22 阅读：1877
Microchip将为Mersen SiC电源协议栈参考设计提供 碳化硅MOSFET和数字栅极驱动器
电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益，提高性能和成本效率，可使产品很多提前6个月上市 电动出行和可再生能源系统需要能够提高性能效率和加快开发时间的电源管理解决方案。为满足这些要...
分类：名企新闻 时间：2022/2/21 阅读：462 关键词： Microchip
高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了新一代OptiMOS?源极底置（Source-Down，简称SD）功...
分类：新品快报 时间：2022/2/17 阅读：1364
Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司PowerIntegrations（纳斯达克股票代号POWI）今日发布两款新器件，为InnoSwitch?3-AQ产品系列新添两款符合AEC-Q100标准、额...
分类：新品快报 时间：2022/2/16 阅读：2832
消息称现代汽车面临 MOSFET 短缺，车芯荒预计持续至 Q3
随着美国半导体供应状况的恶化，现代汽车据称本周早些时候向美国亚利桑那州凤凰城派遣了高管，检查了具体情况。 据BusinessKorea报道，凤凰城是美国半导体企业的...
分类：业界动态 时间：2022/2/14 阅读：971
Toshiba东芝推出新款MOSFET栅极驱动IC，助力缩小设备尺寸
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出其面向20V电源线路的新款“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动IC中的首款产品---“TCK421G”。该系列器件专门用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压（基于输入电压），同时具备过压锁定...
分类：新品快报 时间：2022/2/11 阅读：763 关键词：Toshiba
Toshiba东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批...
分类：新品快报 时间：2022/2/11 阅读：587 关键词：Toshiba
Vishay推出PowerPAK8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出两款n沟道TrenchFET?MOSFET——60VSiJH600E和80VSiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标...
分类：新品快报 时间：2022/2/11 阅读：1197
Atmosic 宣布完成7200万美元新一轮融资，同时发布搭载能量收集技术的全新蓝牙5.3片上系统（SoC）产品系列
物联网（IoT）能量收集无线技术的世界ling导者Atmosic 今日宣布获得由风险投资公司Sutter Hill Ventures领投的7200万美元新一轮融资。同时，Atmosic 还发布了ATM33系列, 搭载能量收集技术的全新蓝牙5.3片上系统（SoC）。新产品系列提供前...
分类：名企新闻 时间：2022/2/10 阅读：289 关键词：Atmosic
