APW7073KE-TRG
大中sinopower
SOP-14
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
IC描述:同步降压PWM控制器 单12V电源供电要求,0.6V参考电压为1%,关电和软启动功能,可编程频率范围50 kHz~1000kHz,电压模式PWM控制设计,高达100%占空比,欠压保护,过电流保护...
电话:0755-83286586
手机:13510912602
FDB33N25TM
ON(安森美)
D2PAK
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
FDB33N25TM FDB52N20TM FDB12N50TM FDB28N30TM FDB44N25TM 原装ON MOS; 有需求的申请特价; 产品概览 FDB33N25: N 沟道 UniFETTM MOSFET 250V,33A,94mΩ 欲看完整文档,请参阅数据表...
电话:0755-29364006
手机:18948335007
SPA11N80C3
INFINEON(英飞凌)
TO-220F
无铅环保型
直插式
管装
大功率
800V
深圳迈科斯微电子有限公司自2013年3月成立以来,一直致力于为客户提供包括电能表计量通讯、电力电源、充电器、适配器、LED照明电源等各种工业及消费类电子用的全套解决方案。并致力于...
电话:0755-23084696
手机:18665379396
TSD5N50/TO-252
韩国信安/TRU*EMI
贴片
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
我司是代理韩国信安TRU*EMI品牌的全系列MOS管,现有大量现货: TSF2N60 TSF5N60 TSF8N60 TSF10N60 TSF12N60 TSD5N50 TSF3N80 等等一系列产品型号,质量*,有需求请联系我!
电话:0755-28231923-8003
手机:13923792283
FGL60N100BNTDTU
FAIRCHILD(飞兆)
TO-264
无铅环保型
直插式
单件包装
超大功率
FGL60N100BNTDTU原装现货优势热卖,货源稳定.60A1000V的仙单IGBT主要应用在UPS和光伏逆变器上,具有出色的开关和传导及耐雪崩性能,同样适用于电磁感应加热(IH)应用如IH电饭煲,电磁炉和...
电话:075582996476
手机:13423987696
FDN302P
FAIRCHILD(飞兆)
SOT23
无铅环保型
贴片式
单件包装
下单之前请先咨询,由于电子流动性快,所以价格不会恒久不变,成本会因来货数量来货渠道以及市场需求量在每一个时期做一定的调整,当来货量高于市场需求量会做下调处理 本公司:IC,可调...
电话:0755-82704925
手机:13480685914
TSA20N50 TO-*
TRU*EMI
塑封//*
无铅*型
直插式
管装
深圳市美亚科技有限公司创办于2002年,是集成电路设计、生产、销售、以及贸易代理为一体的高科技企业。于2005年又成立了香港分公司即香港美亚科技有限公司。公司立足深圳,业务*世界...
电话:0755-28231923-8003
手机:13923792283
MDF2N60TH
美格纳
TO220F
无铅*型
直插式
盒带编带包装
小功率
2A 600V TO220F MOS管,代理美格那系列产品,质量*,欢迎洽谈!
电话:0755-88257825
手机:15622829450
DTU40N06
鼎日 din-tek
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
深圳市尚鼎芯科技有限公司,品牌:鼎日集团,主营产品:鼎日MOS管,可控硅IGBT,便携式电源方案.提供能够应用于广泛领域的Power MosFET,从用于便携设备,采用精密工序的超低导通电阻部...
电话:075583679358
手机:15019204839
NCE70R1K2K
NCE
TO-252
普通型
贴片式
盒带编带包装
小功率
GeneralDescription Theseriesofdevicesuseadvancedsuperjunction technologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlow gatecharge.ThissuperjunctionMOSFETfitstheindustry’s AC-...
电话:0755-82579692
手机:13922878398
PHILIPS/飞利浦
BYV27-200
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
M*金属半导体
深圳市旭*电子有限公司(简称“旭*”)凭着精心严谨的管理及积*进取的精*,分销安森美(ON Semiconductor)、意法半导体(ST)、德州仪器(Texas Instrument...
电话:0755-83995229
手机:13510378456
AM4392N
AnalogPower
SO-8
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
美国ANALOG POWER专注于MOS管已经11年了,提供全系列中低压MSOFET,提供全套MOSFET解决方案,也可根据客户要求*。 主要服务电脑,通讯,锂电池保护,电源,工业控制等市场。 可*替代N...
电话:0755-32901610
手机:13632508790
AO3401
AOS
SOT23-3L
普通型
贴片式
卷带编带包装
小功率
专门经营各类主动元件(集成电路IC,存储芯片,二三极管等)和被动元件(电阻,电容,电感等)及机电元件(可控硅,场效应管),我们以低成本提供全方位一站式电子元器件供应链采购方案,包括但不...
电话:0755-82564322
手机:13418625599
TSF4N60M
信安
TO-220、TO-252
无铅环保型
直插式
单件包装
中功率
This Power MOSFET is produced using Truesemi‘s advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resista...
电话:0755-29161516
手机:18922802004
8205a
台湾晶群
sto-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
超大功率
金中南科技发展有限公司凭借着自身的优势与多个半导体品牌厂家建立良好的合作关系,并代理分销其产品。一直以来,至金中南公司以良好的信誉,大量的原装库存,的技术支持,优势的价格...
电话:0755-83976135
手机:13580505003
AOS/美国万代
AO3415
绝缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
General Description Product Summary-20VID (at VGS=-4.5V) -4ARDS(ON) (at VGS= -4.5V) < 41mWRDS(ON) (at VGS= -2.5V) < 53mWRDS(ON) (at VGS= -1.8V) &...
电话:0755-81708613
手机:13828778687
PFM1N80
PD
TO-92
无铅*型
直插式
盒带编带包装
型号:PFM1N80 品牌:PD (韩国品牌) 包装:2K 此产品为我司有大量现货库存,价格优惠!!!! 胡晓梅/Jessy Hu 骏源工程有限公司 (Smart Source Engineering Limited) 地址:深圳市...
电话:0755-25899460
手机:13826590515
BYD
1N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
代理比亚迪BYD场效应管(MOS管),价格优势,,质量*。高压MOS管:1N60,2N60,3N60,4N60,5N60,6N60,7N60,8N60,9N60,10N60电压:600V电流:1A, 2A , 3A , 4A, 5A, 6A, 7A, 8A, 9A, 10AP...
电话:0755-27932985
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷,兼备很低的能量损耗和优异的开关性能,...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实,SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比,SiC MOSFET 的效率更高,可实现更长的行驶距离或更小的高压电池,从而为消费者带来好处。 ROHM自2012年获...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用? 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图,图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置,包括两个...