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MOSFET

(共找到“1”条查询结果)
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  • 型号/规格:

    IRF4905PBF

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

IR(International Rectifier)成立于1947年,作为电源应用半导体领域的,IR提供电源管理及电源管理方案,IR的产品HEXEFT电源MOSFET,IGBT,DIODE,集成电路等,应用于自动华控制,汽车的电动系...

MOSFET行业资讯

  • Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列[2024-10-23]

    Lttelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管,这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案,专为保护碳化硅(SiC)MOSFET栅极免受过压事件...

  • Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列[2024-10-17]

    Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管,这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案,专为保护碳化硅(SiC) MOSFET栅极免受过压...

  • 英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET 2功率MOSFET 30V产品组合[2024-09-29]

    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合,扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容,以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化,具有高可靠性和易用性,专为满...

  • ST推出第四代SiC MOSFET[2024-09-27]

    意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术,在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。  新技术不仅满足汽车和工业市场的需求,还特别针对牵引逆变器进行了优化,这是电动汽车 (EV) 动力系统的关键部件。该公司计划在 2027 年之前...

  • 英飞凌推出了适用于 72V 和 84V 电池供电设备的 135V 功率 MOSFET[2024-09-23]

    英飞凌推出了适用于 72V 和 84V 电池供电设备的 135V 功率 MOSFET。  英飞凌 135V OptiMOS 6 封装  其中有 10 种封装可供选择:7 针 D2PAK(TO-263)、3.3 x 3.3mm PQFN、SuperSO8、TO-220、TO-Leadless(HSOF-8)、TOLG(HSOG-8)或 TOLT(HDSOP-16)。...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
  • MOSFET

MOSFET技术资料

  • SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]

    氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。  如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图  我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。  LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。  近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...

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