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在SiC晶体中存在各种缺陷，其中一些会影响器件的特性。SiC缺陷的主要类型包括微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺陷、以及堆垛层错（SF）、以及刃位错（TED）、螺旋位错（TSD）、基面位错（BPD）和这些复合体的混合位错。就密度而...

时间：2024/9/5 阅读：15 关键词：SiC

Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管，其中一半符合汽车标准。　　Nexperia DFN2020D-3 双极晶体管　　跨度 50 和 80V 额定值、1 至 3A ...

分类：新品快报时间：2024/8/29 阅读：236 关键词：双极功率晶体管

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和...

时间：2024/8/19 阅读：31 关键词：半导体

功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低...

时间：2024/8/8 阅读：42 关键词：英飞凌

碳化硅是第三代领先的半导体材料，拥有巨大的市场前景。客户需要集材料生产和装备研发为一体，不断提升碳化硅纯净度。万可端子为此晶体生长炉配电柜提供了多样免维护的连接方案。　　　　　万可端子在碳化硅晶体生长炉配电柜中具有许多优...

时间：2024/7/30 阅读：29 关键词：碳化硅

当 AMD 正式推出基于 Zen 5 的台式机和笔记本电脑 Ryzen 处理器时，它透露了有关 Zen 5 微架构和这些 CPU 功能的许多细节。然而，它并没有透露各种基于 Zen 5 的产品的实际...

分类：业界动态时间：2024/7/19 阅读：332 关键词：AMD

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产...

分类：新品快报时间：2024/7/12 阅读：312 关键词：晶体管

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 ...

分类：新品快报时间：2024/7/10 阅读：292 关键词：英飞凌

瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。　　瑞萨电子表示：“随着此次收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计，以满足对宽...

分类：名企新闻时间：2024/6/24 阅读：330 关键词：瑞萨电子

意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。　　新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关...

时间：2024/1/17 阅读：81 关键词：IGBT晶体管

最终成为智能手机芯片的硅晶片由单晶组成。但这种晶体有很多面，其中哪一个面位于制造晶体管的表面很重要。根据上个月在 2023 年IEEE 国际电子器件会议(IEDM) 上发布的研究...

分类：业界动态时间：2024/1/5 阅读：469 关键词：晶体管

氮化镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还...

时间：2023/10/31 阅读：90 关键词：电子

今天，Apple 正式发布了 M3、M3 Pro 和 M3 Max。这三款芯片采用突破性技术，可显著提高 Mac 的性能并释放新功能。这些是首款采用业界领先的 3 纳米工艺技术制造的个人计算...

分类：业界动态时间：2023/10/31 阅读：388 关键词：M3芯片

意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性...

分类：新品快报时间：2023/9/12 阅读：321 关键词：IGBT晶体管

该公司以 GaNsafe 为品牌，增强了与驱动器集成的保护功能，并采用 10 x 10mm TOLL 封装，并采用定制内部引线框架（下图）。初始产品的额定电压为 650V（800V 瞬态），...

分类：新品快报时间：2023/9/11 阅读：525 关键词：MPU

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