类别：其他 出处：网络整理 发布于：2022-08-01 14:47:57 | 126 次阅读
数字化、低碳化等全球大趋势推升了采用宽带隙 (WBG)器件碳化硅/氮化镓 (SiC/GaN) 器件的需求。这类器件具备独特的技术特性，能够助力电源产品优化性能和能源效率。英飞凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 与台达电子工业股份有限公司 (TWSE: 2308) 两家全球电子大厂，长期致力于创新的半导体和电力电子领域，今日宣布深化其合作，强化宽带隙SiC及GaN器件在高端电源产品上的应用，为终端客户提供出色的解决方案。
600 V CoolGaN HSOF-8
650 V CoolSiC MOSFET TO247-4
台达副总裁暨电源及系统事业群总经理尹旋博表示：“台达每年投入超过8%的营收于研发创新，为服务器、电竞计算机以及其他多元产业的客户，提供高效、可靠的电源方案，满足其对节能的需求。要在竞争激烈的市场中实现目标、取得成功，需要与值得信赖、对于电源系统领域充分理解的领先器件供货商合作，并对特定应用提供客制化的解决方案。英飞凌是的半导体和系统解决方案供货商，也是台达长期合作伙伴，其多元、高效的 WBG 产品协助我们打造领先业界的电源产品。”
英飞凌电源与感测系统事业部高效电源供应、隔离与连接事业线负责人Johannes Schoiswohl
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