类别:新品快报 出处:网络整理 发布于:2023-11-30 11:19:23 | 358 次阅读
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅(SiC)MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用,而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块,其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。
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