类别：新品快报 出处：网络整理 发布于：2024-01-18 10:55:07 | 473 次阅读
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程，该制造工艺不仅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常适合现有硅基生产线量产。目前，50 毫欧 TP65H050G4YS FET 已可供货，35 毫欧 TP65H035G4YS FET 正在出样，预计将于 2024 年一季度供货上市。
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