三星电子驳斥了有关其计划为 HBM(高带宽内存)引入 MUF(模制底部填充)工艺的报道,称这“不属实”。
13日,路透社援引多位消息人士的话称,“三星电子将使用MUF技术来制造的HBM”,并补充道,“这项技术被我们的竞争对手SK海力士使用,这对三星来说多少是一个打击”电子产品的骄傲。”报道称。
HBM 垂直堆叠多个 DRAM,并通过 TSV(通过硅电极)将它们连接起来。目前,三星电子一直在采用在DRAM之间插入NCF(非导电粘合膜)并进行热压缩的工艺。
另一方面,SK海力士正在采用MR-MUF(大规模回流成型底部填充)技术,该技术加热并焊接整个HBM,并通过在芯片之间插入液体保护材料来填充间隙。MR-MUF技术被评价为具有高可靠性和生产效率,因为与NCF工艺相比,热量施加均匀。
路透社报道称,为此,三星电子正准备引入MUF工艺。其依据是近订购了MUF相关设备,并且也在与日本Nagase等材料公司进行洽谈。
路透社称,“根据几位分析师的说法,三星电子的 HBM3(第 4 代 HBM)芯片生产良率约为 10-20%,而 SK 海力士则确保了约 60-70% 的良率。”“我们计划同时使用 NCF以及芯片中的 MUF 技术。”
但三星电子对此予以反驳,称“这不是真的”。 业界也认为三星电子将MUF技术引入HBM的可能性较低。诚然,三星电子正在追求引入MUF技术,但据了解,其意图是将该技术用于服务器用大容量DRAM,例如256GB(千兆字节),而不是HBM。
此外,三星电子还投入了大量资金来推进 HBM 的 NCF 技术并扩大产能。在这种情况下,有人认为三星电子对于MUF工艺转换进行额外投资的成本负担太大。