Power Integrations 将收购 Odyssey Semiconductor Technologies 的资产，将垂直 GaN 技术引入该公司，以对抗碳化硅 (SiC)。
该交易预计将于 7 月完成，之后 Odyssey 的所有主要员工预计将加入 Power Integrations 技术组织。
此次购买支持 Power Integrations 专有 PowiGaN 技术的持续开发路线图，以实现更高的电流水平以取代 SiC。目前该公司的许多产品系列均采用 GaN，包括 InnoSwitch IC、HiperPFS-5 功率因数校正 IC 以及近推出的 InnoMux-2 系列单级多输出 IC。该公司将于 2023 年推出 900 伏和 1250 伏版本的 PowiGaN 技术和产品。
Power Integrations 技术副总裁 Radu Barsan 博士表示：“自 2018 年我们开始交付采用 PowiGaN 技术的产品以来，Power Integrations 一直处于 GaN 开发和商业化的前沿。”
“我们正在执行一项雄心勃勃的路线图，其中包括推动与硅 MOSFET 的成本平价，以及扩展 PowiGaN 的电压和功率能力。我们的目标是将经济高效的高电流和高电压 GaN 技术商业化，以支持目前由碳化硅 (SiC) 提供的更高功率应用，凭借 GaN 的基本材料优势，以更低的成本和更高的性能实现这一目标 Odyssey 团队在高电流垂直 GaN 方面的经验将增强并加速这些努力，我们很高兴将他们加入我们的团队。”
“我和 Odyssey 团队很高兴能加入 Power Integrations 来加速他们的 GaN 技术路线图。作为第一家将高压 GaN 商业化的公司，Power Integrations 在成本、电压和电流方面以及充分利用高压 GaN 功能的系统级产品设计方面继续引领行业发展。”Odyssey 联合创始人兼执行官 Richard Brown 博士说道。
