英特尔在代工竞争中落后于台积电、三星

类别:业界动态  出处:网络整理  发布于:2024-05-17 10:32:28 | 444 次阅读

  英特尔曾大胆宣称到 2030 年将在全球晶圆代工(半导体代工)市场超越三星电子,但在上任命仅一年多后,英特尔就取代了代工,目前面临着日益加深的困境。
  据业内消息人士5月15日消息,英特尔近期任命Kevin Overklee为新任晶圆代工服务部(IFS)副总裁,这标志着英特尔在短短14个月后突然发生领导层变动。
  半导体行业将此次人事变动视为增强工艺竞争力的努力。随着人工智能(AI)时代的到来,英特尔推出极紫外(EUV)光刻设备,考验了其先进的代工工艺技术,旨在加速技术成熟度并争取大客户。
  此外,英特尔更换领导层的决定反映了其彻底改革代工业务的意图,该业务已被确定为未来的关键收入来源,但仍继续出现重大亏损。从今年开始,英特尔将代工业务部门分开,单独披露业绩。今年第一季度代工销售额为44亿美元,比去年同期下降10%,总计约6万亿韩元。而且,英特尔大部分代工销售额都是通过内部交易产生的,去年外部客户销售额仅占代工厂收入的5%。运营亏损逐年增加,2021年亏损51亿美元,2022年亏损52亿美元,2023年亏损70亿美元,2024年第一季度亏损25亿美元。
  英特尔正在美国政府的支持下积力于下一代代工工艺的开发和量产。由 ASML 生产的 EUV 光刻设备可以在纳米级晶圆上形成更密集的半导体电路图案。英特尔先于台积电和三星电子从ASML获得了2纳米生产所需的高NA EUV设备。英特尔计划于2026年下半年开始量产1.6纳米(16A)工艺,并于2027年开始量产1.4纳米(14A)工艺。
  然而,英特尔的显着弱点仍然是缺乏大规模生产工艺的经验。该公司选择跳过 3 纳米工艺,直接转向亚 2 纳米级别。目前,英特尔的工艺是7纳米级别。英特尔在进入两年后的2018年首次退出代工业务,原因是7纳米工艺的良率难以提高。代工业务的性质(交货价格至关重要)以及英特尔的生产基地位于美国和欧洲,导致与台积电和三星电子相比在成本竞争力上处于劣势。
  一些分析师对前景持悲观态度,怀疑英特尔代工业务能否在 2030 年达到收支平衡点。尽管英特尔计划到 2030 年超越三星电子,成为全球第二大代工厂,但市场研究公司 TrendForce 报告称,英特尔的代工业务去年第三季度营收份额第9,但到第四季度跌出前十。
 

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