铠侠株式会社今日宣布，其采用第八代BiCS FLASHTM 3D闪存技术的2Tb四级单元 (QLC) 存储器已开始送样（1）。这款2Tb QLC存储器拥有业界容量（），将存储器容量提升到一个全新的水平，将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。
凭借其的BiCS FLASH技术，通过专有工艺和创新架构，铠侠实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。此外，铠侠还开发了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）（3）技术，以提供更高的位密度和业界领先的接口速度（3.6Gbps（4））。这些先进技术的应用，共同促成了2Tb QLC存储器的诞生，成就了业界容量的存储器。
全新的第八代BiCS FLASH2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC产品提高了约2.3倍，写入能效比提高了约70%。不仅如此，全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片，为业界提供领先的4TB容量，并采用更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm。
Pure Storage公司（全球领先的数据存储技术和服务提供商）的执行官Charles Giancarlo强调了铠侠新技术对其公司平台的重要意义：“我们与铠侠保持着长期的合作关系，很高兴能将他们的第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC闪存产品整合到我们的全闪存存储解决方案中。Pure Storage的统一全闪存数据存储平台不仅能够满足人工智能的严苛要求，还能实现极具竞争力的备份存储成本。在铠侠技术的支持下，Pure Storage将继续提供卓越的性能、能效和可靠性，为客户创造超凡价值。”
“我们很高兴全新第八代BiCS FLASH?技术的2Tb QLC开始送样，”铠侠技术官Hideshi Miyajima表示，“铠侠2Tb QLC产品凭借其业界领先的高位密度、高速传输接口和卓越的能效比，将为快速发展的人工智能应用，以及对功耗和空间要求严苛的大容量存储应用带来新的价值。”
除2Tb QLC之外，铠侠还推出了1Tb QLC版本。相较于容量优化的2Tb QLC，1Tb QLC的顺序写入性能还能再提升约30%，读取延迟提升约15%。1Tb QLC更适用于高性能领域，包括客户端SSD和移动设备。
