Kioxia的新第10代332层4.8 GB/S 3D NAND Flash比其第8代ICS快33% 消息 由Sayem Ahmed出版12小时前

类别:名企新闻  出处:网络整理  发布于:2025-02-21 09:21:36 | 891 次阅读

 根据外媒报道,Kioxia与Sandisk合作,揭示了其第十代3D NAND闪存技术,该版本与国际固态电路会议(ESSCC)2025相吻合。新闪光灯可提供高达33%的性能和增强的位密度,增强的位密度,与前几代相比,接口速度和功率效率。
  Kioxia的新3D闪存具有直接粘合到数组(CBA)的CMO,该CMO是通过键入CMOS WAFER和单独制造的单元格阵列晶片创建的。这并不是什么新鲜事物,因为它也出现在Kioxia的第八代3D NAND产品中。但是,较大的亮点是新的接口标准,切换DDR6.0,它允许高达4.8 GB/s NAND接口速度。
  Kioxia声称,速度比其第八代技术快33%,部分原因是,与第八代的218层相比,现在的记忆层数量增加,现在位于322层为38%。
  虽然322层与公司在2027年创建1,000层3D NAND的目标相距甚远,但这仍然是一项令人印象深刻的壮举。 Kioxia声称,322层3D NAND也将位密度提高了59%。

关键词:Kioxia

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