以下是您搜索【功率晶体管】的结果,共找到60条相关资讯

Navitas 最近推出了具有单片集成栅极驱动器的第四代 GaN 功率晶体管

该公司以 GaNsafe 为品牌,增强了与驱动器集成的保护功能,并采用 10 x 10mm TOLL 封装,并采用定制内部引线框架(下图)。 初始产品的额定电压为 650V(800V 瞬态),涵盖 35 至 98mΩ 的 R...

分类:新品快报 时间:2023/9/11 阅读:501 关键词:MPU

NSREC:用于太空的 40V 抗辐射 GaN 功率晶体管

EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A(250A 300μs脉冲25°C)容量,占用面积7mm 2 EPC7002 开启至 14.5mΩ,可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A(62A 300μs 脉冲 25°C) “与传统硅解决方案...

分类:新品快报 时间:2023/7/21 阅读:411 关键词: GaN 功率晶体管

功率晶体管,连续六年创新高

据ICinsights分析,功率晶体管销售额在2022年有望增长11%,预计今年将达到245亿美元,连续第六次创下历史新高,这主要是因为这一大型分立器件产品的平均销售价格(ASP)创下十几年来的最高增幅。...

分类:业界动态 时间:2022/10/10 阅读:749

EPC新推350 V氮化镓功率晶体管,比等效硅器件小20倍且成本更低

宜普电源转换公司(EPC)近日宣布推出EPC2050,这是一款350VGaN晶体管,zui大RDS(on)为80mΩ,脉冲输出电流为26A。EPC2050的尺寸仅为1.95mmx1.95mm,与采用等效硅器件的解决方案相比,基于EPC20...

分类:新品快报 时间:2022/4/14 阅读:1879

埃赋隆推出400W坚固耐用的Doherty射频功率晶体管,据此扩展LDMOS基站和多载波产品线

埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT400W非对称Doherty射频功率晶体管。此Doherty晶体管专为在2.496GHz至2.690GHz频率范围内工作的基站多载波应用而设计,其采用了埃赋隆备受...

分类:新品快报 时间:2021/10/28 阅读:1922

意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管

意法半导体的STPOWERLDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品,该产品家族有三个不同的产品系列,均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。 ●IDCH系列产品的输出功率在8W-...

分类:新品快报 时间:2021/8/20 阅读:2722

GaN Systems - 氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

GaN(氮化镓)功率晶体管的 GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。 这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。 随着 众多消费者,企业和工业市场客户的...

分类:名企新闻 时间:2021/6/8 阅读:506

高频开关eGaN?功率晶体管、极小型化及增强了效率的电源转换方案

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化...

分类:名企新闻 时间:2018/7/17 阅读:898 关键词:电源晶体管

EPC推出350V新款eGaN功率晶体管 相比硅产品尺寸缩小20倍

EPC2050芯片,1.95 mm x 1.95 mm据麦姆斯咨询报道,Efficient Power Conversion(EPC,美国宜普电源转换公司)近日发布了新款350V GaN功率晶体管EPC2050,具有65微欧导通电阻(RDS(on))以及26A...

分类:新品快报 时间:2018/4/26 阅读:447 关键词:晶体管

意法半导体推出新款超结MOSFET和首款1500V TO-220FP 宽爬电间距封装功率晶体管

横跨多重电子应用领域、全球的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出一系列采用TO-220FullPAK(TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管,其中包括采用防电弧封装的全球

分类:名企新闻 时间:2016/9/28 阅读:254 关键词:MOSFET

ST推出新款超结MOSFET和1500V TO-220FP 宽爬电间距封装功率晶体管

2016年8月16日,横跨多重电子应用领域、全球的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出一系列采用TO-220FullPAK(TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶...

分类:新品快报 时间:2016/8/17 阅读:1109 关键词:MOSFET

恩智浦1500 kW射频功率晶体管树立新标杆

恩智浦半导体日前宣布推出MRF1K50H射频晶体管,与采用任何技术或在任何频率下的产品相比,都具有最强大的性能。MRF1K50H可在50V电压下提供1.50kWCW功率,能够减少高功率射频放大器中的晶体管数量,从而减小放大器尺寸并降低物料成本。MR

分类:名企新闻 时间:2016/5/9 阅读:404 关键词:恩智浦晶体管

Ampleon - 现在为HF、VHF和ISM应用提供使用高成本效益模压塑料封装的极稳固LDMOS RF功率晶体管

Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料(overmouldedplastic,OMP)RF功率晶体管产品组合,采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。BLP05H6xxxXR系列功率晶体管面向广播和ISM发射器或发电机制造商,瞄准FM/VHF无线电

分类:名企新闻 时间:2016/1/15 阅读:427

ST推出的13.6MHz RF功率晶体管STAC250V2-500E

STMicroelectronics-意法半导体(ST)的600W-250VRF晶体管采用高压技术,实现体积更小、性能更可靠的E级工业电源中国,2014年11月4日——意法半导体的13.6MHzRF功率晶体管STAC250V2-500E具有市场

分类:新品快报 时间:2014/11/30 阅读:359 关键词:晶体管

意法半导体全新双极功率晶体管可媲美MOSFET能效

意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率,同时兼具同级MOSFET的能效,为设计人员提供一个节省空间的低成本的电源管理和DC-DC电源转换器(DC-DCconverters)转换解决方案。3STL2540是一个-40V/

分类:新品快报 时间:2013/10/18 阅读:404 关键词:MOSFET半导体晶体管

热点排行

广告