Vishay推出非对称双通道TrenchFET功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR6mmx3.7mm封装和TrenchFETGenIII技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET---SiZ710DT，新器件比前一代器件的导通
超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压，已成为大功率LED的关键材料之一，并在射频领域中受宠，其中包括Cree、RFMD以及Eudyna和Nitronex推出针对这些市场的GaN产品。另外包括IR、ST
分类：业界要闻 时间：2010/11/4 阅读：505 关键词：MOSFET
国际整流器公司(InternaTIonalRectifier，简称IR)宣布拓展了车用DirectFET2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、电源、混合动力
分类：新品快报 时间：2010/10/29 阅读：347 关键词：DirectFET2MOSFET
国际整流器公司(IR)宣布拓展了车用DirectFET2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、电源、混合动力汽车的电池开关、微型混合动力汽车的集成起动发电机系
分类：新品快报 时间：2010/10/26 阅读：434 关键词：MOSFET
Vishay推出四款500V、16A的N沟道功率MOSFET
威世（VishayIntertechnology,Inc.）日前宣布推出四款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有
全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出新系列-30V器件，采用IR的SO-8封装P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款P沟道
分类：新品快报 时间：2010/9/17 阅读：1431 关键词：MOSFET
高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称瑞萨电子）已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET（金属氧化物半导体晶体管）产品——RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新产品作为面向DC/
分类：新品快报 时间：2010/9/17 阅读：1333 关键词：MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(InternaTIonalRectifier，简称IR)宣布针对开关应用，推出两款具有低栅级电荷的车用DirectFET2功率MOSFET，这些开关应用包括开关电源(SMPS)、D类音频系统、高强度气
分类：新品快报 时间：2010/9/11 阅读：998 关键词：DirectFET2MOSFET
IR推出为D类应用优化的汽车用DirectFET2功率MOSFET
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)近日宣布推出汽车用DirectFET2功率MOSFET系列，适合D类音频系统输出级等高频开关应用。新推出的AUIRF7640S2、AUIRF7647S2和AUIRF7675M2
分类：新品快报 时间：2010/8/26 阅读：1043 关键词：DirectFET2MOSFET
美国国际整流器公司（InternationalRectifier）上市了3种面向D类音频放大器等高频开关的功率MOSFET。包括耐压（漏源电压）为＋60V的“AUIRF7640S2”、＋100V的“AUIRF7647S2”及＋150V的“AUIRF
据iSuppli公司，由于在商业与工业领域的增长势头喜人，电源管理半导体2010年将取得骄人增长，随后几年将望尖莫及。包括集成电路和分立器件在内，电源管理半导体2010年销售额将达到314亿美元，比2009年的224亿美元大增39.9%。2009年
德国英飞凌科技（InfineonTechnologies）上市了漏极电流为180A、导通电阻（RDS(on)）仅为0.95mΩ（标准值）的＋30V耐压n通道功率MOSFET“IPB180N03S4L-H0”。该产品属于该公司的“OptiMOS-
分类：新品快报 时间：2010/8/3 阅读：1595 关键词：MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET---Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20VMICROFOOTSi8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET---Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20VMICROFOOTSi8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超
分类：新品快报 时间：2010/7/30 阅读：288 关键词：MOSFET
近日英飞凌（Infineon）宣布推出全新的650VCoolMOSC6/E6高性能功率MOSFET系列。CoolMOSC6/E6是来自英飞凌的第六代市场的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSC6/E6器件具备快速、可控的开关
