国际整流器公司(IR)近期推出全新HEXFET功率MOSFET系列。新款SOT-23MOSFET器件采用IR的中压硅技术，通过大幅降低90%RDS(on)显着改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。该器件采用业界标准SOT-23封
分类：新品快报 时间：2010/7/22 阅读：303 关键词：MOSFET
Vishay推出三款500V 12A N沟道功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET---SiHB12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHP12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的导通
瑞萨电子株式会社宣布推出包括NP75N04YUG、NP74N04YUG、NP75P03YDG等在内的7款功率MOSFET产品。作为半导体元件的MOSFET，由3个端子——栅极、漏极和源极组成，用于开关元件，可以通过向栅极发出信号来控制漏极和源极之间
分类：新品快报 时间：2010/7/19 阅读：1158 关键词：MOSFET
高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称瑞萨电子）正式宣布：推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在内的7款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。新产品主要面向汽车电
分类：名企新闻 时间：2010/7/15 阅读：1119 关键词：MOSFET
目前，威世（VishayIntertechnology,Inc.）发布采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET功率MOSFET---ThundeRFETSiR880DP。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerP
分类：新品快报 时间：2010/7/12 阅读：397 关键词：MOSFET
近期英飞凌（Infineon）科技股份公司推出全新的650VCoolMOSC6/E6高性能功率MOSFET系列。CoolMOSC6/E6是来自英飞凌的第六代市场的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSC6/E6器件具备快速、可
全球的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)和英飞凌科技(InfineonTechnologies)宣布，两家公司就采用MLP3x3(Power33?)和PowerStage3x3封装的功率MO
安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF
Vishay新款N沟道功率MOSFET 开关速度和损耗得到改善
Vishay目前宣布推出新一代500VN沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34n
TI高电流DC/DC应用的功率MOSFET显著降低上表面热阻
日前，德州仪器(TI)宣布面向高电流DC/DC应用推出业界个通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCoolNexFET功率MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提
分类：新品快报 时间：2010/1/15 阅读：1277 关键词：MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用SOT-923封装的60VN沟道功率MOSFET---SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。SiM400是迄今
分类：新品快报 时间：2010/1/6 阅读：1027 关键词：MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出采用SOT-923封装的60VN沟道功率MOSFET：SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。SiM400是迄今为止最小的
分类：业界要闻 时间：2010/1/5 阅读：277 关键词：MOSFET
Vishay Siliconix推出业界性能的P沟道功率MOSFET
日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布推出新款20VP沟道功率MOSFET---SiA433EDJ.器件采用紧凑的2mmx2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的导通电阻.新
Vishay推出突破性P沟道功率MOSFET SiB457EDK
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出一款业界导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFET——SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。新型SiB457EDK采用了Trenc
日前，VishayIntertechnology,Inc.日前宣布，推出一款业界导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFET---SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。新型SiB457EDK采用了Tr
